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LTC1257IS8#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 数据采集 > 数模转换器(DAC),封装:8-SO
  • 技术参数:IC DAC 12BIT 8-SO
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LTC1257IS8#TRPBF 技术参数详情:

LTC1257IS8#TRPBF是亚德诺半导体(ADI)推出的一款12位单通道电压输出型数模转换器(DAC)。该器件采用经典的R-2R梯形电阻网络架构,结合精密的片上薄膜电阻,确保了在整个工作温度范围内的优异线性度与长期稳定性。其设计允许单电源或双电源供电,模拟与数字供电电压范围均为4.75V至15.75V,为系统设计提供了高度的灵活性,能够兼容多种工业标准的电源轨。

该DAC集成了一个精密的输出缓冲放大器,能够直接驱动低阻抗负载,提供缓冲电压输出。其建立时间典型值为6s,能够满足多数中速控制与信号生成应用对响应速度的要求。在精度方面,器件保证了±4 LSB(最大)的积分非线性(INL)和±0.5 LSB(最大)的微分非线性(DNL),这为高精度模拟设定点或波形重建提供了可靠保障。其参考电压输入既可使用灵活的外部基准,也可利用片内经过修整的基准源,简化了外围电路设计。

数据接口采用工业标准的SPI兼容串行接口,仅需三线即可实现与微控制器或数字处理器的通信,极大节省了系统板空间和布线资源。其8引脚SOIC封装形式紧凑,并支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,非常适合自动化贴片生产。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及其完整的技术支持。器件的工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。

凭借其宽电源电压范围、稳定的电压输出、简洁的串行接口以及工业级温度规格,LTC1257IS8#TRPBF非常适合应用于工业过程控制、自动化测试设备、可编程电压源、数字增益与偏移调整以及电机控制等领域。其设计在性能、集成度与成本之间取得了良好平衡,是工程师构建高性价比精密模拟输出系统的优选解决方案。

  • 型号:LTC1257IS8#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 数据采集 > 数模转换器(DAC)
  • 描述:IC DAC 12BIT 8-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 位数:12
  • 数模转换器数:1
  • 建立时间:6s(典型值)
  • 输出类型:Voltage - Buffered
  • 差分输出:无
  • 数据接口:SPI
  • 参考类型:外部,内部
  • 电压 - 供电,模拟:4.75V ~ 15.75V
  • 电压 - 供电,数字:4.75V ~ 15.75V
  • INL/DNL (LSB):±4(最大),±0.5(最大)
  • 架构:R-2R
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 安装类型:表面贴装型
  • 等级:-
  • 资质:-
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LTC1257IS8#TRPBF是一款由ADI(亚德诺半导体)生产的12位分辨率、单通道、缓冲电压输出型数模转换器。它采用R-2R架构,并通过SPI串行接口进行控制,接口简洁,易于集成。

该器件支持4.75V至15.75V的宽范围单/双电源供电,并具备外部或内部参考电压选项。其关键性能指标包括6s的典型建立时间、±4 LSB(最大)的积分非线性(INL)以及覆盖-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这些特性共同构成了其在要求稳定、精确电压设定的应用中的核心价值。

LTC1257IS8#TRPBF采用8-SOIC封装,并提供卷带包装,适用于自动化生产,主要面向工业控制、测试测量及各类需要高精度模拟信号生成的电子系统。

HMC954:提供可编程输出电压的2:1多路复用器
HMC-C055:22.5° 4位数字移相器模块,8 - 12 GHz
LT1175:500mA、低压差、微功率负稳压器
ADM3488:3.3 V、低功耗、RS-485/RS-422收发器(全双工、250 KBPS、限摆率)
AD5734R:完整的四通道、14位、串行输入、单极性/双极性、电压输出DAC
ADN2816:连续速率10 Mb/s至675 Mb/s时钟和数据恢复IC
AD8341:RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz
HMC594LC3B:低噪声放大器,采用SMT封装,2 - 4 GHz
ADAU1860:三个ADC、一个DAC、具有音频DSP的低功耗编解码器
ADMV1139:37 GHz至48.2GHz、5G、微波上变频器和下变频器
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