- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:8-SO
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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LTC1155IS8#PBF是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高端N沟道MOSFET栅极驱动器集成电路。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，专为需要高效、可靠地控制高侧功率开关的应用而优化。其内部集成了两个独立的高端驱动通道，每个通道都配备了自举电路所需的电平移位和电荷泵功能，这使得它能够在单电源供电（4.5V至18V）的条件下，直接驱动栅极电压高于电源电压的N沟道MOSFET，从而简化了系统电源设计，并提升了功率级的效率。
该芯片的核心优势在于其稳健的驱动能力和宽泛的工作电压范围。4.5V至18V的宽电源电压范围使其能够兼容多种逻辑电平（如3.3V、5V、12V）的控制系统，并适应不同的总线电压场景。其逻辑输入阈值设计为0.8V（VIL）和2V（VIH），确保了与标准CMOS和TTL逻辑电平的良好兼容性，增强了抗噪声干扰能力。输入采用非反相设计，使得控制逻辑直观，便于系统集成与调试。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关技术支持。
在电气特性方面，LTC1155IS8#PBF能够在-40°C至85°C的扩展工业温度范围内稳定工作，保证了其在严苛环境下的可靠性。其表面贴装型（SMT）的8-SOIC封装符合现代自动化生产要求，有利于实现高密度的PCB布局。虽然其峰值输出电流等动态参数在标准规格书中未明确列出，但其架构专为提供快速、干净的开关转换而设计，旨在最小化开关损耗，这对于开关电源、电机驱动等高频应用至关重要。
基于上述特性，LTC1155IS8#PBF非常适合应用于需要高效高侧开关控制的领域。典型应用包括但不限于DC-DC同步整流转换器中的高侧开关驱动、多相降压稳压器、H桥电机驱动电路的上桥臂驱动，以及电池供电系统中的负载开关。其双通道独立驱动的设计，为构建半桥或双开关正激等拓扑提供了灵活且节省空间的解决方案，是工程师在追求高功率密度和高效率设计时的理想选择。
- 型号:LTC1155IS8#PBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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LTC1155IS8#PBF是ADI公司推出的一款双通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器，采用8-SOIC封装。该器件设计用于在4.5V至18V的单电源电压下工作，可直接驱动高侧功率MOSFET，无需额外的隔离电源，显著简化了电路设计。
其核心卖点包括宽电源电压范围带来的设计灵活性，以及0.8V/2V的逻辑输入阈值确保了与常见控制器的可靠接口。器件可在-40°C至85°C的工业温度范围内稳定运行，两个独立的高端驱动通道为构建高效的半桥或双开关拓扑提供了紧凑的解决方案，适用于开关电源和电机驱动等应用。
