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- 制造厂商：AD
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
- 技术参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
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LTC1155CN8#PBF 技术参数详情：
还在为驱动高边MOSFET而设计复杂的自举电路吗？让LTC1155CN8#PBF来为您化繁为简！这颗来自ADI的双通道高端栅极驱动器，专为驱动N沟道MOSFET而生，它能将您从繁琐的外围电路中解放出来，让系统设计变得前所未有的轻松。
它支持4.5V至18V的宽范围供电，兼容标准的逻辑输入电平，让您可以高效、可靠地控制电源开关。无论是用于电机控制、DC-DC转换器还是其他需要高边开关的应用，它都能提供稳定、强劲的驱动能力，确保您的系统高效、可靠地运行。
- 制造商产品型号：LTC1155CN8#PBF
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：高端
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：4.5V ~ 18V
- 逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：-
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：通孔
- 产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
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