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LT8570EDD#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器,封装:8-DFN(3x3)
  • 技术参数:IC REG BOOST CUK ADJ 750MA 8DFN
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LT8570EDD#TRPBF 技术参数详情:

LT8570EDD#TRPBF 是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计的高性能、多功能开关稳压器控制器。该器件采用先进的电流模式控制架构,内置一个低导通电阻的N沟道MOSFET开关,能够实现高达750mA的开关电流。其核心设计允许在宽输入电压范围(2.55V至40V)内灵活工作,并通过外部元件配置支持升压(Boost)、Cuk和SEPIC等多种拓扑结构,从而生成高于、低于或反相于输入电压的稳定输出。这种架构的灵活性使其成为处理复杂电压转换需求的理想选择。

该芯片的功能特点十分突出。它具备正或负输出配置能力,输出电压可在3mV至65V(开关节点耐压)的宽范围内通过外部电阻精确调节,基准电压低至1.204V,为低电压应用提供了便利。其开关频率可在200kHz至1.5MHz范围内通过单个电阻编程,允许设计者在效率、外部元件尺寸和EMI性能之间进行优化权衡。器件集成了软启动、频率同步和电源良好指示等保护与控制功能,确保了系统的可靠启动和稳定运行。全工作结温范围覆盖-40°C至125°C,保证了其在严苛工业环境下的鲁棒性。

在接口与参数方面,LT8570EDD#TRPBF 采用紧凑的8引脚DFN封装,符合表面贴装要求,适合高密度PCB设计。其可调的输出电压下限极低,配合宽输入电压范围,使其能够处理从单节锂电池到工业总线电源等多种输入源。工程师可以通过ADI授权代理获取完整的设计支持、评估板和模型文件,以加速产品开发进程。该器件的参数组合,特别是其高开关节点耐压和多功能拓扑支持,构成了其核心竞争优势。

基于其强大的性能,该稳压器广泛应用于需要灵活电压转换的场合。典型应用包括工业传感器和过程控制设备的供电、汽车电子系统中的偏置电源生成、通信基础设施的分布式电源架构,以及由单节或多节电池供电的便携式仪器。无论是需要从24V总线产生一个稳定的±12V电源,还是从锂电池升压到一个较高的电压用于显示驱动,LT8570EDD#TRPBF都能提供高效、紧凑的解决方案。

  • 型号:LT8570EDD#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-DFN(3x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
  • 描述:IC REG BOOST CUK ADJ 750MA 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:升压,升压/降压
  • 输出配置:正或负
  • 拓扑:升压,Cuk,SEPIC
  • 输出类型:可调式
  • 输出数:1
  • 电压 - 输入(最小值):2.55V
  • 电压 - 输入(最大值):40V
  • 电压 - 输出(最小值/固定):0.003V,1.204V
  • 电压 - 输出(最大值):65V(开关)
  • 电流 - 输出:750mA(开关)
  • 频率 - 开关:200kHz ~ 1.5MHz
  • 同步整流器:无
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-DFN(3x3)
  • LT8570EDD#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT8570EDD#TRPBF 是一款多功能、电流模式DC-DC开关稳压器控制器,集成了一个750mA N沟道MOSFET开关。其核心优势在于支持升压、Cuk和SEPIC拓扑,并能配置为正输出或负输出,提供了极高的设计灵活性。

该器件输入电压范围宽达2.55V至40V,开关节点可承受高达65V的电压,输出电压可通过外部电阻在3mV至65V范围内精确调节。其开关频率可通过电阻在200kHz至1.5MHz间编程,便于在效率与解决方案尺寸间取得平衡。采用8引脚DFN表面贴装封装,工作结温范围为-40°C至125°C,适用于严苛的工业与汽车环境。

HMC511:集成Fo/2的VCO SMT,9.05 - 10.15 GHz
AD8180:单通道、缓冲式、750 MHz、3.8 mA、10 ns、2:1开关多路复用器
AD7813:+2.7 V至+5.5 V、8/10位、400 kSPS采样ADC
AD7650:16位、570 kSPS、单极性CMOS逐次逼近型ADC
HMC1086:25 W GaN MMIC功率放大器,2 GHz至6 GHz
AD5066:全精度、四通道、16位、无缓冲电压输出、2.7 V至5.5 V nanoDAC,采用SPI接口
HMC577:x2有源倍频器,采用SMT封装, 27至31 GHz Fout
AD8398A:单端口VDSL2线路驱动器,具有关断功能
HMC370:x4有源倍频器SMT,14.4 - 16.4 GHz Fout
ADN4696E:具有2类接收器的3.3 V、200 Mbps、半双工、高速M-LVDS收发器
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