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LT5579IUH#TRPBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC MIXER 1.5-3.8GHZ 24QFN
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LT5579IUH#TRPBF 技术参数详情:

LT5579IUH#TRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能有源射频混频器,采用先进的硅工艺架构。该器件内部集成了本振(LO)缓冲放大器、双平衡混频器核心以及射频(RF)和中频(IF)匹配网络,其核心设计旨在实现从1.5GHz至3.8GHz宽频带范围内的卓越线性度和低噪声性能。这种高度集成的架构不仅简化了外部电路设计,减少了所需的外围元件数量,还确保了在整个工作频段内性能的一致性,为现代紧凑型射频系统提供了可靠的解决方案。

该混频器具备出色的线性度低噪声系数,其噪声系数典型值仅为9.9dB,同时提供2.6dB的转换增益,这有助于提升接收链路的整体信噪比。作为一款升频器(上变频器),它能够高效地将基带或中频信号转换到更高的射频载波频率。其工作电压为单3.3V供电,典型工作电流为250mA,平衡了性能与功耗的需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件及相关设计资源。

在接口与参数方面,LT5579IUH#TRPBF采用表面贴装型的24引脚QFN封装,具有良好的散热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度PCB布局。其射频端口内部已进行50欧姆匹配,极大简化了板级设计。器件支持广泛的蜂窝通信标准,包括GSM、GPRS、EDGE和CDMA2000等,展现了其强大的通用性和适应性。稳定的电气参数和工业级温度范围保证了其在严苛环境下的可靠运行。

得益于其宽频带、高线性度和集成化设计,该芯片非常适合应用于基站收发信台、微波点对点链路、卫星通信上变频模块以及各类无线基础设施的射频前端。它能够作为发射链路上的关键组件,将中频信号上变频至所需的射频频段,是构建高性能、高可靠性无线发射系统的理想选择。

  • 型号:LT5579IUH#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER 1.5-3.8GHZ 24QFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:手机,CDMA2000,EDGE,GPRS,GSM
  • 频率:1.5GHz ~ 3.8GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:2.6dB
  • 噪声系数:9.9dB
  • 辅助属性:升频器
  • 电流 - 供电:250mA
  • 电压 - 供电:3.3V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-WQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(5x5)
  • LT5579IUH#TRPBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT5579IUH#TRPBF是ADI公司推出的一款覆盖1.5GHz至3.8GHz频段的高性能有源上变频混频器。该器件采用24引脚QFN封装,集成本振缓冲器和匹配网络,提供2.6dB的转换增益和9.9dB的噪声系数,在宽频带内实现了优异的线性度与噪声性能平衡。

其单电源3.3V/250mA的工作条件简化了供电设计,内部50欧姆端口匹配则减少了外部元件需求。该混频器专为满足GSM、CDMA2000等蜂窝通信标准以及各类无线基础设施的发射链路要求而优化,是构建紧凑、高效射频上变频模块的核心器件。

ADCMXL1021-1:宽带宽、低噪声、振动传感器
AD589S:航空航天用精密1.2 V IC基准电压源
ADM7154:600 mA、超低噪声、高PSRR、RF线性稳压器
LTC4079:具低静态电流的 60V、250mA 线性充电器
HMC576LC3B:x2有源倍频器SMT,18 - 29 GHz Fout
OP471:高速、低噪声、四通道运算放大器
ADL5501:50 MHz 至6 GHz TruPwr检波器
AD7928:内置序列器的8通道、1 MSPS、12位ADC,采用20引脚TSSOP封装
LT1206:250mA / 60MHz 电流反馈放大器
ADM3071E:3.3 V、负载、±15KV ESD保护、RS-485/RS-422收发器(全双工、250 KBPS)
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