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LT4320HMSE-1#PBF 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管,封装:12-MSOP-EP
  • 技术参数:IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MSOP
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LT4320HMSE-1#PBF 技术参数详情:

LT4320HMSE-1#PBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的理想二极管桥式整流控制器,采用紧凑的12引脚MSOP封装。该器件旨在取代传统二极管桥式整流器,通过驱动四个外部N沟道MOSFET来构建一个无损耗的整流桥。其核心架构基于精密的比较器与栅极驱动电路,能够实时监测交流输入端的电压极性,并智能地控制相应MOSFET的导通与关断,从而在交流输入与直流输出之间建立一个极低正向压降的电流路径。

该芯片的功能特点显著提升了电源系统的效率与可靠性。其关键特性在于消除了传统硅二极管或肖特基二极管固有的约0.5V至1V的正向压降损耗。在高压应用中,这种损耗会转化为可观的热量,而LT4320HMSE-1#PBF通过MOSFET极低的导通电阻(RDS(ON))将压降降至毫伏级别,大幅减少了整流环节的功率损耗和热管理需求。此外,它支持9V至72V的宽供电电压范围,静态工作电流仅为1.5mA,并能在-40°C至125°C的工业级温度范围内稳定工作,确保了在苛刻环境下的鲁棒性。

在接口与参数方面,该控制器设计简洁,外部仅需四个N沟道MOSFET和少量无源元件即可构成完整的整流桥。它不具备内部开关,延迟时间参数未作规定,这源于其控制逻辑旨在实现快速、无缝的换向,以防止输入短路和反向电流。其通用型设计使其输出电压和电流能力主要由所选外部MOSFET的规格决定,为设计提供了高度的灵活性。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI一级代理商获取此型号及相关设计资源。

得益于其高效率和高可靠性的特点,LT4320HMSE-1#PBF非常适合应用于对功耗和散热敏感的场景。典型应用包括工业AC-DC前端整流、通信电源系统、汽车电池反接保护以及任何采用交流输入的后备电源或电池充电系统。其表面贴装型封装也适应了现代高密度PCB布局的需求,是提升电源转换级整体性能的理想解决方案。

  • 型号:LT4320HMSE-1#PBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-MSOP-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > OR 控制器,理想二极管
  • 描述:IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 类型:桥式整流器
  • FET 类型:N 通道
  • 比率 - 输入:桥(1)
  • 内部开关:无
  • 延迟时间 - 开启:-
  • 延迟时间 - 关闭:-
  • 电流 - 输出(最大值):-
  • 电流 - 供电:1.5 mA
  • 电压 - 供电:9V ~ 72V
  • 应用:通用
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:12-MSOP-EP
  • LT4320HMSE-1#PBF优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

LT4320HMSE-1#PBF是ADI公司推出的一款理想二极管桥式整流控制器IC,属于电源管理IC中的OR(理想二极管)控制器类别。该器件通过驱动外部N沟道MOSFET来构建整流桥,核心价值在于彻底消除了传统二极管整流桥固有的正向压降功率损耗。

其工作电压范围覆盖9V至72V,静态电流低至1.5mA,并支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,采用12-TSSOP表面贴装封装。这些参数共同指向其高效率和坚固耐用的设计目标,使其成为要求高能效、低热耗散以及高可靠性的通用型电源整流应用的理想选择。

HMC561LP3:x2有源倍频器SMT,8 - 21 GHz Fout
AD8420:宽电源电压范围、轨到轨输出仪表放大器
LT1965:1.1A、低噪声、低压差线性稳压器
AD5760:超稳定、16位、±0.5 LSB INL、电压输出DAC
RH1085:3A 低压差正可调稳压器
ADPA1107:45.0 dBm (35 W)、4.8 GHz to 6.0 GHz、GaN 功率放大器
LTC2420:采用 SO-8 封装的 20 位、微功率、No Latency Σ ADC
ADP1047:数字功率因数校正控制器,具有精确的交流功率计量功能
HMC-MDB172:I/Q混频器/IRM芯片,19 - 33 GHz
HMC7441:GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器,27.5 - 31 GHz
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