
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:16-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
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LT1336CS#TRPBF是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能半桥栅极驱动器集成电路,采用16引脚SOIC封装,专为驱动N沟道功率MOSFET而优化设计。该器件内部集成了两个独立的驱动器通道,分别用于控制高端和低端开关管,其架构包含了电平移位、自举充电以及欠压锁定(UVLO)等关键电路模块,确保了在高达60V的母线电压下,高端通道能够稳定可靠地工作。其设计重点在于提供精确的时序控制和强大的驱动能力,以最小化开关损耗并提升系统效率。
在功能实现上,该驱动器具备1.5A的峰值拉电流和灌电流能力,能够快速地对MOSFET的栅极电容进行充放电,从而显著降低开关过程中的上升和下降时间,典型值分别为130ns和60ns。这种强大的驱动能力对于降低高频开关应用中的导通和关断损耗至关重要。其输入逻辑兼容TTL/CMOS电平,具有非反相特性,阈值电压VIL和VIH分别为0.8V和2V,确保了与微控制器或数字信号处理器的稳健接口。器件工作电压范围在10V至15V之间,并内置了交叠导通防护逻辑,有效防止了半桥电路中因直通电流导致的灾难性故障。
从电气参数来看,LT1336CS#TRPBF展现了出色的鲁棒性与适应性。其高压侧最大自举电压可达60V,适用于广泛的直流母线电压应用。独立式的通道设计为布局布线提供了灵活性,允许用户根据实际拓扑进行配置。该器件的工作结温范围为0°C至125°C,采用表面贴装形式,卷带包装(TR)适合自动化生产线,有助于提高大规模制造的效率与一致性。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该产品及相关设计资源。
基于其技术特性,LT1336CS#TRPBF非常适合于对效率和可靠性有严苛要求的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动控制器以及不间断电源(UPS)系统中的半桥或同步整流拓扑。其快速开关能力和稳健的保护功能使其成为工业自动化、通信基础设施和新能源领域中,构建高效、紧凑型功率级解决方案的理想选择。
- 型号:LT1336CS#TRPBF
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:10V ~ 15V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):60 V
- 上升/下降时间(典型值):130ns,60ns
- 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SO
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LT1336CS#TRPBF是ADI公司生产的一款有源、半桥配置的N沟道MOSFET栅极驱动器IC,采用16-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立驱动器,提供高达1.5A的对称峰值输出电流,能够快速驱动功率开关管,其上升和下降时间典型值分别为130ns和60ns,有助于优化开关性能并提升系统效率。
该驱动器设计稳健,输入兼容TTL/CMOS电平(VIL/VIH为0.8V/2V),供电电压范围为10V至15V,并支持高压侧最大60V(自举)的工作电压。其内置防护逻辑可防止直通电流,且工作结温范围覆盖0°C至125°C,确保了在苛刻工业环境下的高可靠性,适用于电机驱动、电源转换等功率管理应用。



















