HMC917LP3E（报价、图片、封装、技术参数及文档）

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HMC917LP3E

制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频和无线 > RF 其它 IC 和模块，封装:16-QFN（3x3）
技术参数：IC MULTIPLIER X4 ACTIVE 16-QFN
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HMC917LP3E 技术参数详情：

HMC917LP3E是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能有源四倍频器芯片，采用先进的GaAs HBT工艺制造，封装于紧凑的16引脚QFN（3mm x 3mm）表面贴装型封装内。该器件设计用于在6GHz至10GHz的宽频输入范围内工作，通过其内部集成的放大器与倍频链路，能够将输入射频信号稳定地转换为输出频率为输入频率四倍的高频信号，其架构有效优化了谐波抑制与转换损耗，为雷达及高端测试系统提供了核心的频率生成解决方案。

该芯片的核心优势在于其卓越的射频性能。在指定的整个工作频带内，它能够提供典型值高达15dBm的输出功率，同时保持优异的谐波抑制能力，这对于需要纯净频谱的应用至关重要。其单电源+5V供电设计简化了系统电源管理，并且芯片内部集成了匹配网络，极大减少了外部元件数量，有助于实现高集成度、小尺寸的射频模块设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计与可靠的性能使其在特定存量系统与设计中仍具有重要参考价值，用户可通过授权的ADI代理获取相关技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，HMC917LP3E采用标准的表面贴装技术，便于自动化生产。其射频输入与输出端口均内部匹配至50欧姆，简化了板级设计。除了宽泛的工作频率范围，该器件在典型工作条件下具有较低的附加相位噪声，确保了对系统整体噪声性能的最小化影响。其稳健的ESD保护设计也提升了在装配与使用过程中的可靠性。

该器件主要面向对频率纯度和信号质量有严苛要求的专业应用场景。它是X波段及相近频段雷达系统、电子战（EW）设备、微波点对点通信链路以及高级测试与测量仪器中本地振荡器（LO）链路的理想选择。其能够将较低频率、高稳定度的参考源（如晶体振荡器）倍频至微波频段，为系统上变频器或直接激励提供所需的高频本振信号，在航空航天、国防与科研领域具有明确的应用定位。