
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:32-QFN(5x5)
- 技术参数:IC AMP VSAT 200MHZ-22GHZ 32QFN
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作为一款专为超宽带应用设计的射频放大器,HMC907LP5ETR采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术,构建了其高性能的核心架构。该架构确保了器件在200MHz至22GHz的极宽频率范围内,能够提供稳定且一致的信号放大能力,其内部集成的匹配网络优化了宽带性能,减少了外部元件的需求,简化了系统设计。
该芯片的功能特点十分突出,其高达26dBm的P1dB输出功率使其能够驱动高动态范围的后续级,而12dB的典型增益与仅4dB的噪声系数则在提供有效信号放大的同时,最大限度地保持了系统的信噪比,这对于接收链路灵敏度至关重要。其工作电压为单10V电源,典型工作电流为350mA,功耗与性能达到了良好的平衡。值得注意的是,其关键性能参数(如增益、噪声系数)的测试频率覆盖18GHz至22GHz的Ku波段,这直接验证了其在卫星通信等高频应用中的可靠性。
在接口与参数方面,HMC907LP5ETR采用表面贴装型的32引脚VFQFN封装,具有良好的散热性能和紧凑的占板面积,便于集成到高密度的射频模块中。其设计针对VSAT(甚小孔径终端)系统进行了优化,但卓越的宽带特性使其应用范围远不止于此。工程师在选型和采购时,通过正规的ADI授权代理渠道,可以确保获得符合原厂标准的产品与技术资料支持。
基于其从UHF波段直至Ku波段的覆盖能力、高线性度输出以及优良的噪声性能,该放大器非常适合应用于要求苛刻的通信与测试测量领域。典型的应用场景包括点对点无线通信回程链路、卫星通信上行/下行变频模块、微波无线电以及宽带测试仪器中的驱动放大级。其设计能够有效提升系统的链路预算和整体动态范围,是构建高性能射频前端的关键组件之一。
- 型号:HMC907LP5ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:32-QFN(5x5)
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC AMP VSAT 200MHZ-22GHZ 32QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 频率:200MHz ~ 22GHz
- P1dB:26dBm
- 增益:12dB
- 噪声系数:4dB
- 射频类型:VSAT
- 电压 - 供电:10V
- 电流 - 供电:350mA
- 测试频率:18GHz ~ 22GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
- HMC907LP5ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC907LP5ETR是一款由ADI(Analog Devices)生产的超宽带VSAT射频放大器,覆盖200MHz至22GHz的宽广频率范围。该器件在18GHz至22GHz测试频率下,能提供12dB的增益,并保持仅4dB的低噪声系数,同时其高达26dBm的P1dB输出功率确保了出色的线性度和信号驱动能力。
该放大器采用32-VFQFN表面贴装封装,由单10V电源供电,典型工作电流为350mA,在功耗与射频性能之间取得了良好平衡。其核心优势在于极宽的频带覆盖与高线性度输出的结合,使其成为卫星通信、微波点对点链路以及宽带测试设备等应用中,提升系统动态范围和接收灵敏度的理想选择。



















