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HMC907ALP5ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:-
  • 技术参数:IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ 32QF
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HMC907ALP5ETR 技术参数详情:

HMC907ALP5ETR 是一款由 Analog Devices 设计生产的高性能单片微波集成电路功率放大器。该器件采用先进的 GaAs pHEMT 工艺制造,集成了输入输出匹配网络,其核心架构旨在为超宽带应用提供高线性度、高增益和优异的功率效率。芯片内部集成了偏置控制电路,简化了外部设计,同时确保了在宽频带范围内性能的稳定性和一致性。

该放大器覆盖了从 200 MHz 至 22 GHz 的极宽频率范围,使其成为应对多频段、多标准系统的理想选择。在 22 GHz 测试频率下,其输出 1 dB 压缩点高达 27 dBm,提供了卓越的线性输出能力。同时,14 dB 的典型增益有效提升了系统链路预算,而仅为 3 dB 的噪声系数则最大限度地降低了其对接收链路整体噪声的贡献,这对于高灵敏度系统至关重要。其工作电压为 10 V,典型工作电流为 350 mA,在提供高输出功率的同时保持了良好的功耗控制。

在接口与参数方面,HMC907ALP5ETR 采用紧凑的 32 引脚 QFN 封装,便于高密度 PCB 布局和表面贴装生产。其设计充分考虑了散热和射频性能的平衡。该器件为有源状态产品,性能稳定可靠,适用于严格的商业及工业环境。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是确保产品原装正品和获取完整技术资料的有效途径。

凭借其超宽带、高线性度和高增益的特性,该芯片广泛应用于点对点无线电通信、卫星通信、VSAT 终端、微波回程、测试测量仪器以及电子战系统等领域。它能够作为驱动级放大器或末级功率放大器,有效提升发射链路的信号质量和覆盖范围,是构建高性能射频前端的核心元件之一。

  • 型号:HMC907ALP5ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:-
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ 32QF
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 频率:200MHz ~ 22GHz
  • P1dB:27dBm
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:3dB
  • 射频类型:VSAT
  • 电压 - 供电:10V
  • 电流 - 供电:350mA
  • 测试频率:22GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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HMC907ALP5ETR 是 ADI 推出的一款覆盖 200 MHz 至 22 GHz 超宽频段的 MMIC 功率放大器。该器件在 22 GHz 测试频率下可提供高达 27 dBm 的 P1dB 输出功率,并具备 14 dB 的增益和 3 dB 的低噪声系数,实现了高线性输出与优异噪声性能的平衡。

其采用 10 V 单电源供电,典型工作电流为 350 mA,集成度高,采用 32QFN 封装,便于系统集成。该放大器专为 VSAT、微波通信及测试测量等对宽带性能和功率效率有严苛要求的射频应用而设计。

LTC1411:单电源、14 位、2.5Msps ADC
AD680:低功耗、2.5 V带隙基准电压源
LTC1064-1:低噪声、8 阶、时钟可扫频椭圆低通滤波器
LTC1588:具可编程输出范围的12位SoftSpan DAC
LTC3672B-2:采用 2mm x 2mm DFN 封装、具双路 150mA LDO 的单片式固定输出 400mA 降压型稳压器
HMC326:GaAs InGaP HBT 驱动放大器,SMT,3.0 - 4.5 GHz
AD1583:3.0 V微功耗、精密串联模式基准电压源
AD8278:高性能、低功耗、通用差动放大器
LTC2444:具可选速度 / 分辨率的 24 位高速 8 / 16 通道 ΔΣ ADC
LT6201:165MHz、轨至轨输入和输出、0.95nV/√Hz 低噪声运算放大器系列
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