HMC877LC3TR-R5是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能、宽带可编程时间延迟/相移芯片，采用先进的GaAs（砷化镓）工艺制造。该器件内部集成了精密的延迟线网络、高速数字控制逻辑以及宽带射频开关，能够在8GHz至23GHz的极宽频带内，通过外部施加的数字控制字，实现对输入射频信号的时间延迟或相位偏移的精确、快速调节。其核心架构确保了在整个工作频段内，延迟或相移的线性度与频率响应保持高度一致，这对于需要精确波束成形或时序校准的系统至关重要。

该芯片提供了卓越的功能特性，其可编程延迟/相移范围宽、分辨率高，能够满足复杂系统对信号时序或相位进行微调与粗调的需求。得益于其宽带设计，在8GHz至23GHz的整个频率范围内均能保持稳定的性能极低的插入损耗和优异的幅度平坦度，在引入可控延迟或相移的同时，最大限度地减少了对信号链路的功率损耗和信号失真，保证了系统整体的信噪比和动态范围。其快速切换能力也使其适用于需要动态、实时调整相位的应用场景。

在接口与参数方面，HMC877LC3TR-R5采用紧凑的16引脚VFCQFN表面贴装封装，符合现代高密度PCB板的设计要求。它通过并行或串行数字接口接收控制指令，操作简便直接。关键射频参数包括覆盖8GHz至23GHz的工作频率，以及在整个频带内优化的回波损耗和隔离度。其电源要求典型，易于集成到现有的系统电源方案中。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件及相关设计资源。

这款芯片典型的应用场景集中于高频、高性能的射频系统中。它是相控阵雷达天线单元实现电子波束扫描与赋形的核心元件之一，通过精确控制每个辐射单元的相位，实现波束的快速、无惯性指向。在卫星通信和点对点微波回传系统中，可用于补偿因路径长度差异或温度变化引起的相位误差，提升链路质量和系统稳定性。此外，在高端电子测试与测量设备中，HMC877LC3TR-R5可用于构建可编程延迟线，用于信道仿真、信号校准以及各种需要精密时序控制的实验装置，展现了其广泛的应用潜力。

• 型号:HMC877LC3TR-R5
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-CSMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
• 描述:IC TIME DELAY/PHASE SHIFT 16SMD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 功能:相移
• 频率:8GHz ~ 23GHz
• 射频类型:通用
• 辅助属性:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFCQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-CSMT（3x3）
• HMC877LC3TR-R5优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC877LC3TR-R5是ADI公司推出的一款宽带、可编程时间延迟/相移集成电路，属于其高性能RF IC和模块产品线。该器件采用16-VFCQFN表面贴装封装，以卷带形式供货，目前为有源状态。

其核心功能是在8GHz至23GHz的极宽频率范围内，对通用射频信号提供精确的可编程相移控制。这一宽频带特性使其能够覆盖多个重要的微波频段，为系统设计提供了高度的灵活性和频带适应性。作为一款专为高频应用优化的相移器件，它能够满足现代相控阵系统、卫星通信及测试设备对信号相位进行快速、精确动态调整的严苛要求。