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HMC862ALP3E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:16-LFCSP(3x3)
  • 技术参数:RF POWER DVDR 100MHZ-24GHZ 16QFN
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HMC862ALP3E 技术参数详情:

HMC862ALP3E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带射频功率分频器,采用先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺制造。该器件内部集成了高性能的巴伦(Balun)和肖特基二极管,构成了一个稳健的推挽式分频器核心。这种架构使其能够在极宽的频率范围内,将输入射频信号的频率精确地除以2,同时保持良好的相位噪声性能和隔离度,为系统级联和复杂频率合成提供了可靠的基础单元。

该分频器的突出特点在于其覆盖100MHz至24GHz的极宽工作带宽,这一特性使其能够无缝应用于从高频VHF频段直至K波段微波频段的各类系统。其输入功率范围宽,兼容多种驱动电平,并能在4.75V至5.25V的单电源电压下稳定工作,简化了系统供电设计。作为一款表面贴装器件,它采用紧凑的16引脚QFN(四方扁平无引线)封装,具有良好的热性能和易于PCB(印刷电路板)布局装配的优势,非常适合高密度集成应用。

在接口与参数方面,HMC862ALP3E提供标准的射频输入和输出端口。其典型分频触发灵敏度优异,确保了在指定频带内的高可靠性工作。器件具有较低的附加相位噪声,这对于维持整个频率合成链路的信号纯度至关重要。其输出信号摆幅足以直接驱动后续的混频器、PLL(锁相环)或其他逻辑电路。用户可以通过正规的ADI授权代理获取完整的数据手册,以获取详细的S参数、输入/输出回波损耗、隔离度以及在不同温度下的性能曲线等关键指标。

凭借其宽带、高性能和易于集成的特性,该芯片广泛应用于测试与测量设备、微波点对点通信、卫星通信终端、军用电子战(EW)系统以及高性能频率合成器等领域。在雷达本地振荡器(LO)链、宽带接收机前端以及需要高频、高稳定度时钟信号的数字系统中,HMC862ALP3E都能作为关键的分频元件,有效扩展系统的工作频率范围并提升整体性能。

  • 型号:HMC862ALP3E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-LFCSP(3x3)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:RF POWER DVDR 100MHZ-24GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 功能:分频器
  • 频率:100MHz ~ 24GHz
  • 射频类型:-
  • 辅助属性:4.75V ~ 5.25V 电源
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:16-LFCSP(3x3)
  • HMC862ALP3E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC862ALP3E是Analog Devices公司推出的一款有源、表面贴装型射频分频器MMIC。该器件核心功能是在100MHz至24GHz的极宽频率范围内,对输入的射频信号执行稳定的二分频操作。

其设计基于GaAs工艺,采用16-VFQFN(CSP)紧凑封装,仅需4.75V至5.25V的单电源供电,便于系统集成。这款高性能分频器主要面向宽带测试设备、微波通信链路以及军用射频系统等对工作带宽和频率稳定性有严苛要求的应用场景。

AD4630-24:24位、2 MSPS/500 kSPS、双通道SAR ADC
LTC2161:16 位、40Msps、低功率 ADC
ADR431:超低噪声XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
HMC345A:GaAs MMIC SP4T非反射式正控制开关,DC* - 8 GHz
ADE1201:单通道可配置隔离式数字输入
LTC1287:3V、单芯片 12 位数据采集系统
HMC329A-DIE:22 GHz 至 38 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器
HMC812A:GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz
AD8311:50 dB GSM PA控制器
HMC-C583:0.1 GHz至40 GHz SPST开关
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