HMC836LP6CETR（报价、图片、封装、技术参数及文档）

产品参考图片

HMC836LP6CETR

制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟发生器，PLL，频率合成器，封装:40-QFN（6x6）
技术参数：IC PLL W/VCO FRACTIONAL-N 40-QFN
（丰富的AD公司产品，AD芯片采购平台）
（提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格）

点击下图下载技术文档

HMC836LP6CETR 技术参数详情：

HMC836LP6CETR是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高性能、宽带小数N分频锁相环（PLL）频率合成器，集成了压控振荡器（VCO）。该芯片采用先进的40引脚QFN封装，其核心架构基于一个高分辨率的小数N分频PLL，结合一个低相位噪声的集成VCO，能够在单一芯片上实现从几十MHz到3.705GHz的宽频带频率合成。这种集成化设计不仅简化了外部电路，减少了板级空间占用，还通过优化内部信号路径，显著提升了系统的整体相位噪声性能和频率切换速度。

该器件具备出色的功能特性，其小数N分频架构提供了极高的频率分辨率，允许用户以极精细的步进设置输出频率，这对于需要精确频率调谐的现代通信和测试设备至关重要。芯片内置的VCO覆盖了多个频段，通过内部逻辑自动选择，确保了在整个工作频率范围内的优化性能。同时，它支持时钟输入，并具备分频与倍频功能，提供了灵活的时钟生成与转换能力。3V至5.2V的宽电源电压范围使其能够兼容多种数字和射频系统电源标准，增强了设计的通用性。其工作温度范围为-40°C至85°C，保证了在严苛工业环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，HMC836LP6CETR采用标准的串行外设接口（SPI）进行配置，用户可以通过微控制器方便地编程其所有关键参数，包括输出频率、环路带宽和电荷泵电流等。其关键性能参数包括高达3.705GHz的最大输出频率、优异的相位噪声指标以及快速的频率锁定时间。这些参数共同决定了其在高速系统中的信号完整性。对于需要可靠供应链和技术支持的工程师，可以通过ADI中国代理获取该产品的详细资料、样片以及本地化服务。

基于其高性能和集成度，HMC836LP6CETR非常适合应用于对频率纯度和灵活性要求极高的场景。它常见于无线通信基础设施，如蜂窝基站（4G/LTE、5G）中的本地振荡器（LO）生成，为其提供稳定、低噪声的本振信号。此外，在测试与测量设备（如信号发生器、频谱分析仪）、卫星通信终端、高速数据转换器时钟生成以及军事和航空航天电子系统中，该芯片也能发挥核心作用，为整个系统提供精准的时序和频率基准。