HMC798LC4TR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能单片微波集成电路（MMIC）次谐波混频器。该器件采用先进的GaAs（砷化镓）pHEMT工艺制造，其核心架构集成了平衡式次谐波混频器、本振（LO）倍频器以及中频（IF）放大器，所有功能均集成于一个紧凑的24引脚TFQFN封装内。这种高度集成的设计消除了对外部LO倍频器或驱动放大器的需求，显著简化了系统设计，同时提升了整体可靠性。

该混频器专为24GHz至34GHz的射频（RF）频率范围优化，其工作模式为次谐波混频，即使用频率为RF信号一半的本振信号进行下变频。这一特性带来了显著优势：在毫米波频段，生成高频、高功率的本振信号颇具挑战且成本高昂，而HMC798LC4TR允许使用频率更低、性能更成熟稳定的LO源，从而降低了系统复杂性和成本。器件在5V单电源供电下工作，典型电流消耗为95mA，功耗控制得当。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，便于集成到密集的射频模块或板卡中。

在接口与关键参数方面，该混频器提供标准的RF、LO和IF端口，并内置了必要的匹配和偏置网络，确保了接口的简洁性。虽然其增益和噪声系数在通用参数中未明确标注，但作为ADI在毫米波领域的代表性产品，其设计旨在提供优异的转换损耗、端口间隔离度以及线性度，以满足严苛的微波系统指标。对于具体的应用设计和批量采购，建议咨询专业的ADI一级代理商以获取最详尽的技术资料、评估支持及供应链服务。

HMC798LC4TR主要面向需要工作在K波段和Ka波段的高频应用场景。其典型的应用包括点对点无线通信回程链路、VSAT（甚小孔径终端）卫星通信系统、毫米波雷达传感器以及测试与测量设备。在这些系统中，它能够高效地将高频射频信号下变频至更易处理的中频，是构建高性能接收机前端的核心元件之一。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统维护或特定设计中，它仍然是一个经过验证的可靠选择。

• 型号:HMC798LC4TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-QFN（4x4）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MMIC MIXER SUB-HARM 24SMD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 频率:24GHz ~ 34GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:-
• 辅助属性:-
• 电流 - 供电:95mA
• 电压 - 供电:5V
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-TFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:24-QFN（4x4）
• HMC798LC4TR优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC798LC4TR是ADI推出的一款MMIC次谐波混频器，采用24-TFQFN表面贴装封装，适用于24GHz至34GHz的K/Ka波段射频系统。该器件集成了混频器、LO倍频器与IF放大器，采用5V单电源供电，工作电流典型值为95mA，实现了高集成度与低外部元件需求的设计目标。

其核心卖点在于次谐波混频架构，允许使用频率仅为RF信号一半的本振源，这极大地简化了在毫米波频段生成高质量本振信号的难度，有助于降低整个射频前端的复杂性和成本。此特性使其非常适合于点对点通信、卫星终端及雷达系统等对频率和性能有严格要求的高频应用场景。