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HMC797APM5E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:32-LFCSP-CAV(5x5)
  • 技术参数:IC RF AMP VSAT 0HZ-22GHZ 32LFCSP
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HMC797APM5E 技术参数详情:

作为一款面向现代宽带通信系统的核心射频放大器,HMC797APM5E采用了先进的高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术进行构建。这种架构设计使其能够在极宽的频带范围内保持卓越的线性度和功率效率,其内部集成了优化的匹配网络和偏置电路,确保了从直流到毫米波前端的信号路径具有高度的一致性和稳定性。芯片的物理实现采用了紧凑的32引脚LCC封装,专为高密度表面贴装应用而优化,有助于简化PCB布局并提升系统整体的可靠性。

该器件的一个突出特性是其覆盖0Hz至22GHz的非凡工作带宽,这使其能够无缝支持从基带直至Ku波段的多种复杂调制信号。在22GHz的测试频率下,放大器能够提供高达28dBm的输出1dB压缩点(P1dB),结合13.5dB的典型增益,意味着它在高动态范围应用中能有效驱动后续混频器或模数转换器,同时将信号失真控制在极低水平。其6dB的噪声系数在同类功率放大器中表现均衡,兼顾了系统对灵敏度和输出功率的双重要求。供电方面,仅需单10V电压和400mA静态电流,简化了电源设计并提升了能效。

在接口与参数层面,HMC797APM5E的设计充分考虑了工程应用的便利性。其表面贴装型封装与标准回流焊工艺兼容,便于自动化生产。完整的射频端口内部匹配至50欧姆,极大减少了外部元件数量,降低了设计复杂性和物料成本。稳定的性能参数 across 宽温范围,使其能够适应苛刻的工业环境。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取完整的评估板、仿真模型以及应用指导,以加速产品上市进程。

凭借其超宽带、高线性功率和紧凑封装的特点,该芯片非常适合作为点对点无线回传、卫星通信(VSAT)终端、微波无线电以及测试测量设备中的驱动级或末级功率放大器。在5G基础设施、电子战系统、航空航天雷达以及高端仪器仪表等要求严苛的应用场景中,它能够为系统提供所需的信号保真度和功率处理能力,是构建高性能射频前端的可靠选择。

  • 型号:HMC797APM5E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-LFCSP-CAV(5x5)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP VSAT 0HZ-22GHZ 32LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 频率:0Hz ~ 22GHz
  • P1dB:28dBm
  • 增益:13.5dB
  • 噪声系数:6dB
  • 射频类型:VSAT
  • 电压 - 供电:10V
  • 电流 - 供电:400mA
  • 测试频率:22GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-LFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:32-LFCSP-CAV(5x5)
  • HMC797APM5E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC797APM5E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能宽带射频放大器,属于有源的RF-IF和RFID射频放大器类别。该芯片采用32-LFQFN表面贴装封装,专为覆盖直流(0Hz)至22GHz的超宽频带应用而设计,其VSAT射频类型标识了其在卫星通信领域的适用性。

在22GHz测试频率下,该器件可提供28dBm的高输出1dB压缩点(P1dB)和13.5dB的增益,确保了出色的线性度和功率处理能力。同时,6dB的噪声系数在宽带功率放大器中实现了性能平衡。其工作仅需单10V电源供电,典型静态电流为400mA,为系统设计提供了高集成度和能效优势。

LT4363:具电流限制功能的高电压浪涌抑制器
LTC2250:10 位、105Msps、低噪声 3V ADC
AD8033:极低成本、高速FastFET™运算放大器
AD648:双通道、精密、低功耗BiFET运算放大器
LTC4015:具数字遥测系统的多化学组成降压型电池充电器控制器
ADM202:+5V、0.1 F CMOS RS-232 200KBPS收发器,内置2个驱动器和2个接收器
ADUM6412:集成DC/DC转换器和2个反向通道的鲁棒3.75 kV rms四通道隔离器
LTC2656:具10ppm/C 最大值基准的八通道、12 位、轨至轨 DAC
ADG707:CMOS、2.5 Ω、低压、差分、8通道多路复用器
OP15S:航空航天用精密JFET输入运算放大器
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