AD648是一对匹配的低功耗、精密、单片运算放大器，偏置电流（最大10 pA，预热状态）和静态电流（最大400 µA）均非常低，采用离子植入FET和激光调整技术制造。在AD648的整个共模电压范围内，保证输入偏置电流符合额定性能。

经济型J级的最大保证失调电压低于2 mV，失调电压漂移低于20 µV/°C。低静态电流和低失调电压漂移使得自热效应导致的输入失调电压变化非常小。

AD648推荐用于要求低功耗和出色直流与交流性能的双电源运算放大器应用。在电池供电的精密仪器前端和CMOS DAC缓冲器等应用中，AD648的低输入失调电压和漂移、低偏置电流以及低1/f噪声这些特性的较佳组合可降低输出误差。在高阻抗缓冲应用中，其高共模抑制和高开环增益可保证12位以上的线性度。

AD648采用标准双通道运算放大器引脚排列配置，按性能分为七种等级。AD648J和AD648K的额定温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。

AD648提供8引脚小型塑封DIP和SOIC两种封装。

• 直流性能：
  静态电流：400 A（最大值）
  
• 交流性能：
  压摆率：1.8 V/s
  单位增益带宽：1 MHz

• 提供小型塑封DIP和SOIC两种封装
• 单通道版本：AD548

AD648JNZ，封装：8-Lead PDIP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.82（100-499个）；3.43（1000+个）

AD648JRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.23（100-499个）；2.92（1000+个）

AD648JRZ-REEL，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，2500，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.23（100-499个）；2.92（1000+个）

AD648JRZ-REEL7，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：卷带，750，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：3.23（100-499个）；2.92（1000+个）

AD648KNZ，封装：8-Lead PDIP，包装形式及数量：管装，50，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：9.69（100-499个）；9.20（1000+个）

AD648KRZ，封装：8-Lead SOIC，包装形式及数量：管装，98，工作温度：0 to 70C，AD官网报价：7.88（100-499个）；7.48（1000+个）

EVAL-OPAMP-2：EVAL-OPAMP-2评估板