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HMC734LP5ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-QFN(5x5)
  • 技术参数:IC MMIC VCO DIVIDE X4 32-QFN
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HMC734LP5ETR 技术参数详情:

HMC734LP5ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计制造的高性能单片微波集成电路(MMIC),其核心架构集成了一个宽带压控振荡器(VCO)和一个固定除以4的预分频器。该芯片采用先进的GaAs HBT工艺制造,确保了在8.6GHz至10.2GHz的宽频带范围内具备卓越的频率稳定性和低相位噪声性能。这种高度集成的设计将VCO核心与分频器电路单片化,有效减少了外部元件数量,简化了系统布局,并提升了整体电路的可靠性。

该器件的一个显著功能特点是其双输出能力,能够同时提供原始VCO频率信号以及经过除以4处理后的信号。这种设计为系统设计提供了极大的灵活性,用户可以直接获取X波段的高频信号,也可以同步获得一个经过分频、更易于后续处理的C波段中频信号,从而简化了下游混频或锁相环(PLL)电路的设计。其相位噪声在1MHz偏移处典型值优于-110 dBc/Hz,这一关键指标使其在要求苛刻的通信和测试设备中表现出色。此外,芯片内置了调谐电压控制端口,允许通过外部电压精确控制输出频率。

在接口与电气参数方面,HMC734LP5ETR采用紧凑的32引脚5x5 mm QFN封装,符合表面贴装(SMT)要求,适合高密度PCB板设计。其工作电压范围典型为+5V单电源供电,功耗控制得当。射频输出端口为单端设计,并已内部匹配至50欧姆,简化了与外部电路的连接。对于需要稳定供应和技术支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品,以确保货源的正品性和获取专业的设计支持。

基于其宽频带、低相位噪声和集成分频器的特性,该芯片非常适合应用于点对点及点对多点无线电通信、军用电子战(EW)系统、测试与测量仪器(如信号源和频谱分析仪)以及卫星通信终端等高端射频前端。它为这些应用场景提供了核心的本地振荡器(LO)信号生成方案,是实现高性能、小型化射频系统的关键元器件之一。

  • 型号:HMC734LP5ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-QFN(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC MMIC VCO DIVIDE X4 32-QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:8.6GHz ~ 10.2GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:双输出(除以 4,标准)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:32-QFN(5x5)
  • HMC734LP5ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC734LP5ETR是ADI公司推出的一款MMIC VCO带分频器芯片,属于其高性能射频IC系列。该器件集成了一个工作于8.6GHz至10.2GHz频段的宽带压控振荡器(VCO)和一个固定的除以4分频器,采用32引脚QFN表面贴装封装。

其核心优势在于能够同时提供原始高频信号和经过分频处理的中频信号,这简化了系统架构并增强了设计灵活性。结合其优异的相位噪声性能和宽调谐范围,使其成为要求苛刻的X波段和C波段射频系统的理想本地振荡源,广泛应用于专业通信、测试测量及国防电子等领域。

HMC1093:GaAs MMIC次谐波混频器,37 - 46.5 GHz
HMC807:集成VCO 的小数N分频PLL,采用SMT封装,12.4 - 13.4 GHz
LT1260:具停机功能的低成本、三通道 130MHz 电流反馈放大器
AD7610:16位、250 kSPS、单极性/双极性可编程输入PulSAR ADC
LTM4647:30A DC/DC 降压型 μModule 稳压器
LTC3550-1:具 600mA 降压型转换器的双输入 USB / AC 适配器锂离子电池充电器
ADXRS652:±250°/s偏航角速度陀螺仪
ADA4077-4:4 MHz、7 nV/√Hz、低失调和漂移、高精度四通道放大器
LTC3535:双通道、550mA、1MHz 同步升压型 DC/DC 转换器
LTC3446:具双 VLDO 稳压器的单片式降压型稳压器
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