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HMC712 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
  • 技术参数:RF ATTENUATOR 30DB 50OHM DIE
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HMC712 技术参数详情:

作为一款工作在毫米波频段的射频核心器件,HMC712采用了基于砷化镓(GaAs)工艺的单片微波集成电路(MMIC)设计。其内部集成了精密的薄膜电阻网络和优化的传输线结构,确保了在5GHz至30GHz的极宽频率范围内,信号路径具有优异的阻抗匹配特性与相位线性度。这种一体化的裸片(Die)形式,为系统设计者提供了高度的集成灵活性和布局优化空间,尤其适合需要紧凑布局和卓越高频性能的先进射频模块。

该器件提供了高达30dB的固定衰减值,衰减精度高且在整个工作频带内具有出色的平坦度。其50欧姆的标称阻抗使其能够无缝集成到标准的射频系统中,有效简化了阻抗匹配电路的设计复杂度。卓越的温度稳定性是另一大关键特性,即便在环境温度变化时,其衰减值也能保持高度一致,这对于要求苛刻的军用、航天及测试测量应用至关重要。用户通过专业的ADI授权代理渠道,可以获得完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面,HMC712以裸片形式提供,需要采用引线键合(Wire Bonding)或倒装芯片(Flip-Chip)等工艺进行集成。其工作频率覆盖了C波段、X波段、Ku波段乃至Ka波段的一部分,强大的带宽能力使其成为宽带系统的理想选择。虽然作为固定衰减器其衰减值不可调节,但这换来了更高的可靠性、更低的插入损耗以及更优的功率处理潜力。需要注意的是,该器件目前已处于停产状态,在全新设计中需考虑替代方案或库存获取。

在应用场景上,这款衰减器广泛应用于需要精确控制信号电平或提供隔离的场合。例如,在点对点微波通信卫星通信的上/下变频器中,它用于优化混频器的输入电平以提升线性度;在军用电子战(EW)雷达系统的接收链中,用于保护后续低噪声放大器免受强信号过载;此外,在自动化测试设备(ATE)实验室仪表中,它也是构成可编程衰减器模块或用于信号路径校准的核心元件之一。

  • 型号:HMC712
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:射频和无线 > 衰减器
  • 描述:RF ATTENUATOR 30DB 50OHM DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 衰减值:30dB
  • 频率范围:5 GHz ~ 30 GHz
  • 功率 (W):-
  • 阻抗:50 Ohms
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:模具
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HMC712是亚德诺半导体(ADI)推出的一款固定值MMIC衰减器裸片,专为高频宽带应用而设计。其核心在于能够在5GHz至30GHz的极宽频率范围内,提供精确且稳定的30dB信号衰减,同时保持50欧姆的标准系统阻抗,极大简化了射频前端的匹配设计。

该器件采用GaAs工艺,确保了优异的温度稳定性和高频性能,非常适合集成到对尺寸和性能有严苛要求的微波模块中。其主要服务于需要高可靠性信号电平管理的领域,如点对点通信、卫星终端、测试仪器以及国防电子系统。

AD7738:8通道、8.5 kHz、24位Σ-Δ型ADC
LTC4231:微功率热插拔控制器
AD9609:10位、20 MSPS/40 MSPS/65 MSPS/80 MSPS、1.8 V模数转换器
LM399:高精度基准
ADRF8800:低功耗2.4 GHz wBMS节点
AD74412R:四通道、软件可配置输入/输出
SSM2019:自容式音频前置放大器
AD7760:24位、2.5 MSPS、100 dB Σ-Δ型ADC,内置片内缓冲
ADR434:超低噪声、4.096V XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力
LTC1286:采用 SO-8 封装的微功率采样、12 位 A/D 转换器
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