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HMC669LP3E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:16-VFQFN
  • 技术参数:IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN
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HMC669LP3E 技术参数详情:

HMC669LP3E是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的通用型射频放大器芯片,采用16引脚QFN(3mm x 3mm)表面贴装封装,工作频率覆盖1.7GHz至2.2GHz的S波段。该器件基于GaAs pHEMT工艺构建,其核心架构旨在提供高增益与低噪声的平衡,内部集成了优化的匹配网络和偏置电路,确保了在宽频带内稳定可靠的性能表现,简化了外围电路设计。

在功能特性上,该放大器在典型5V供电下,能提供高达17dB的线性增益,同时保持出色的1.4dB低噪声系数,这对于接收链路前端提升系统灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)为12dBm,提供了良好的线性动态范围。器件支持3V至5V的单电源供电,典型静态电流为86mA,功耗控制得当,便于集成到各类便携或固定式无线设备中。

芯片的接口设计简洁,主要射频端口(RFIN和RFOUT)在内部已进行50欧姆匹配,减少了外部元件需求。其供电电压范围宽泛,并内置了ESD保护功能,增强了应用的鲁棒性。虽然该产品目前已处于停产状态,但其在特定频段内高增益、低噪声与良好线性度的组合,使其在历史上成为许多无线系统的优选方案。对于仍有设计或维护需求的用户,可以通过正规的ADI中国代理渠道咨询库存或替代产品信息。

从应用场景来看,HMC669LP3E非常适合用于要求低噪声放大的无线基础设施前端,例如1.8GHz至2.2GHz频段的基站接收机、中继器、点对点射频链路以及测试测量设备。其通用型设计也使其能够服务于卫星通信、军用无线电以及工业、科学和医疗(ISM)频段设备中的驱动放大或缓冲放大级,有效提升信号链路的整体信噪比与链路预算。

  • 制造商产品型号:HMC669LP3E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:停产
  • 频率:1.7GHz ~ 2.2GHz
  • P1dB:12dBm
  • 增益:17dB
  • 噪声系数:1.4dB
  • 射频类型:通用
  • 电压-供电:3V,5V
  • 电流-供电:86mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-VFQFN
  • HMC669LP3E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC669LP3E是ADI推出的一款表面贴装型通用射频放大器,工作于1.7GHz至2.2GHz频段。该芯片在5V典型供电下,能提供17dB的高增益,同时噪声系数低至1.4dB,有效优化了接收链路的噪声性能。

其输出1dB压缩点为12dBm,确保了良好的线性度。器件采用3V至5V单电源供电,静态电流86mA,集成于紧凑的16-QFN封装内。这些参数使其非常适用于对增益、噪声和线性度有综合要求的S波段无线接收与驱动放大应用。

LTC6601-2:低功率、低失真、5MHz 至 27MHz、引脚可配置滤波器 / ADC 驱动器
LTC1440:具基准的超低功率单通道 / 双通道比较器
AD5160:256位、SPI兼容型数字电位器
AD9656:四通道、16位、125 MSPS JESD204B 1.8 V模数转换器(ADC)
LTM8083:36V、1.5A、μModule降压-升压型稳压器
HMC1032:集成小数N分频PLL和VCO SMT、125 - 350 MHz时钟发生器
HMC447:使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装,10 - 26 GHz
HMC802A:20 dB 1位数字正控制衰减器,采用SMT封装,DC - 10 GHz
LTC2313-12:采用 TSOT 封装的 12 位、2.5Msps、串行采样 ADC
LTC2157-12:双通道、12 位、250Msps ADC
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