
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
- 技术参数:RF ATTENUATOR 20DB 50OHM 6TDFN
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HMC658LP2ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、宽带固定值射频衰减器。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构旨在实现从直流到25GHz频率范围内卓越的射频信号衰减性能与稳定性。其内部集成了精密的薄膜电阻网络和优化的匹配电路,确保了在整个工作频带内具有平坦的衰减响应和出色的回波损耗,从而最小化对系统信号完整性的影响。
该衰减器提供精确的20dB固定衰减值,具有优异的幅度精度和温度稳定性。其设计重点在于实现极低的插入损耗偏差和高功率处理能力,在宽温范围内性能保持一致。器件采用50欧姆特性阻抗设计,能够无缝集成到标准射频系统中,简化了阻抗匹配的复杂度。其结构确保了良好的线性度,有助于减少谐波失真和互调产物,对于维持高动态范围系统的性能至关重要。
在接口与关键参数方面,HMC658LP2ETR采用紧凑的6引脚TDFN封装,非常适合高密度PCB布局。其工作频率范围覆盖0Hz(直流)至25GHz,能够满足从基带直至Ku波段的应用需求。50欧姆的标称阻抗使其与绝大多数射频测试设备、放大器及混频器等组件兼容。该器件提供卷带(TR)和剪切带(CT)包装选项,便于自动化贴片生产,提升制造效率。用户可以通过正规的ADI代理获取完整的技术支持、样品以及批量供货服务。
这款衰减器的典型应用场景非常广泛,主要面向需要精确控制信号电平或进行系统校准的领域。在测试与测量设备中,它常用于信号源输出电平的调整、接收机输入保护以及系统增益的校准。在无线通信基础设施,如5G基站、微波回传系统中,可用于驱动级功率控制或改善系统匹配。此外,在卫星通信、军用电子战系统以及宽带数据采集系统中,其宽带特性和高可靠性也使其成为关键的无源控制元件。
- 型号:HMC658LP2ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:
- 类目:射频和无线 > 衰减器
- 描述:RF ATTENUATOR 20DB 50OHM 6TDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 衰减值:20dB
- 频率范围:0 Hz ~ 25 GHz
- 功率 (W):-
- 阻抗:50 Ohms
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:6-TDFN 焊盘
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HMC658LP2ETR是亚德诺半导体(ADI)生产的一款固定值射频衰减器,提供精确的20dB衰减。该器件采用50欧姆阻抗设计,工作频率范围覆盖直流至25GHz,具备超宽带操作能力,适用于从基带到微波频段的各种应用。
其核心优势在于在整个频率范围内提供稳定、平坦的衰减性能,并采用紧凑的6引脚TDFN封装,支持卷带和剪切带包装,便于自动化表面贴装。这款衰减器专为需要高精度信号电平控制、系统增益校准及阻抗匹配优化的射频微波系统而设计,是测试测量、通信基础设施和国防电子等领域的高可靠性解决方案。



















