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HMC655LP2ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 衰减器,封装:
  • 技术参数:RF ATTENUATOR 6DB 50OHM 6TDFN
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HMC655LP2ETR 技术参数详情:

HMC655LP2ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带、固定值射频衰减器,采用紧凑的6引脚TDFN封装。该器件基于高性能的GaAs MMIC(单片微波集成电路)工艺制造,其核心架构旨在提供从直流到毫米波频段的精确、稳定的信号衰减功能。内部集成了经过优化的电阻网络和匹配电路,确保了在极宽频率范围内卓越的幅度平坦度和相位线性度,这对于维持信号完整性至关重要。

该衰减器提供6dB的固定衰减值,在整个0Hz至25GHz的极宽工作频带内表现出色。其设计保证了优异的衰减精度和温度稳定性,即使在环境条件变化时也能维持一致的性能。作为一款50欧姆阻抗系统器件,它能够无缝集成到标准射频链路中,最大限度地减少阻抗失配带来的信号反射和损耗。其卷带(TR)或剪切带(CT)的包装形式非常适合自动化表面贴装(SMT)生产线,有助于提高大规模生产的效率和一致性。对于需要稳定可靠射频元件的设计工程师而言,通过正规的ADI代理商进行采购是确保产品正品和质量的重要途径。

在接口与参数方面,HMC655LP2ETR结构简洁,无需外部偏置或控制电路,实现了真正的“即插即用”。其小尺寸的LP2(3mm x 3mm)封装在节省宝贵的PCB空间方面优势明显。除了固定的衰减值,其关键射频参数,如输入/输出回波损耗(VSWR)和功率处理能力,在数据手册规定的条件下都经过了严格的测试和保证,为系统级设计提供了可靠的基础。

凭借其从直流覆盖到Ku波段的超宽带特性,HMC655LP2ETR非常适合应用于测试测量设备(如矢量网络分析仪、信号发生器)、点对点无线电、卫星通信、军事电子战(EW)系统以及5G等宽带无线基础设施。在这些应用中,它常被用于信号电平调节、改善系统匹配、隔离级间影响以及作为精密测量的校准基准,是构建高性能射频前端和测试平台不可或缺的基础元件。

  • 型号:HMC655LP2ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:
  • 类目:射频和无线 > 衰减器
  • 描述:RF ATTENUATOR 6DB 50OHM 6TDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 衰减值:6dB
  • 频率范围:0 Hz ~ 25 GHz
  • 功率 (W):-
  • 阻抗:50 Ohms
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TDFN 焊盘
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HMC655LP2ETR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能固定衰减器。该器件提供精确的6dB衰减,其最突出的特点是支持0Hz至25GHz的极端宽频带工作范围,能够满足从直流到毫米波频段的各种应用需求。

它采用标准的50欧姆阻抗设计,确保了在射频链路中的良好匹配。紧凑的6TDFN封装形式使其非常适合高密度PCB布局,而无需外部偏置的简单结构则大大简化了系统设计。这款有源器件是宽带测试设备、通信系统和微波链路中进行信号电平控制与优化的理想选择。

ADL5246:集成 W驱动放大器的3 GHz 可变增益LNA
LTC2066:10μA 电源电流、低 IB、零漂移运算放大器
OP497:精密、皮安级输入电流、四通道运算放大器
LT1529:具微功率静态电流和停机功能的 3A 低压差稳压器
AD7247:双通道12位DACPORT,采用并行加载结构
ADSP-21487:高性能第四代 DSP
AD1851:16位/18位、16 3 FS PCM音频DAC
LT1585-1.5:固定的 1.5V、4.6A、低压差、快速响应 GTL+ 稳压器
LTC4446:高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
HMC814LC3B:x2有源倍频器SMT,13 - 24.6 GHz Fout
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