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HMC593LP3ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:16-QFN(3x3)
  • 技术参数:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 16QFN
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HMC593LP3ETR 技术参数详情:

作为一款专为WiMAX/WiBro应用设计的射频放大器,HMC593LP3ETR在3.3GHz至3.8GHz的频段内提供了卓越的性能表现。该芯片采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构旨在实现高增益与低噪声的平衡,内部集成了优化的匹配网络和偏置电路,确保了在宽频带范围内的稳定性和一致性,简化了外部电路设计。

该器件在典型工作条件下可提供高达19dB的增益,同时维持极低的噪声系数,典型值在1.2dB至1.4dB之间,这对于接收链路前端提升系统灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)为16dBm,提供了良好的线性度,能够处理一定强度的信号而不产生显著失真。芯片支持3V至5V的单电源供电,工作电流范围在20mA至40mA,体现了高效的功耗控制。其紧凑的16引脚VFQFN表面贴装封装,非常适合于高密度PCB布局,满足现代无线通信设备对小型化的要求。

在接口与参数方面,HMC593LP3ETR设计简洁,易于集成。其射频输入输出端口均已内部匹配至50欧姆,减少了外部元件数量。稳定的性能使其成为固定无线接入、宽带无线通信基站以及用户终端设备中射频前端的理想选择。虽然该产品目前已处于停产状态,但在其目标应用领域的历史设计和备件维护中仍具参考价值,用户可通过正规的ADI一级代理商渠道咨询库存或替代方案信息。

  • 型号:HMC593LP3ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-QFN(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 16QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 频率:3.3GHz ~ 3.8GHz
  • P1dB:16dBm
  • 增益:19dB
  • 噪声系数:1.2dB ~ 1.4dB
  • 射频类型:WiMAX / WiBro
  • 电压 - 供电:3V,5V
  • 电流 - 供电:20mA ~ 40mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
  • HMC593LP3ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC593LP3ETR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款射频放大器集成电路,专为3.3GHz至3.8GHz频段的WiMAX/WiBro应用而优化。该芯片采用表面贴装型16-VFQFN封装,在3V至5V供电电压下工作,典型电流消耗为20mA至40mA。

其核心性能优势在于提供了19dB的高增益与低至1.2dB~1.4dB的噪声系数,有效提升了接收链路的信噪比与系统灵敏度。同时,16dBm的P1dB输出功率确保了良好的线性动态范围。这些特性使其非常适合于对链路预算和信号质量有严格要求的固定无线接入及移动宽带设备的前端放大环节。

ADE7978:用于三相分流电表的三相计量IC
ADG2108:I2C CMOS 8 × 10无缓冲模拟开关阵列,采用双/单电源供电
ADA4940-1:超低功耗、低失真ADC驱动器
ADUM241E:鲁棒的5kV RMS四通道数字隔离器,输出使能(3/1通道方向性)
AD7694:250 kSPS、16位PulSAR ADC,采用µSOIC封装
AD7944:14位、2.5 MSPS、15.5 mW PulSAR ADC,采用LFCSP封装
LTC2267-12:12 位、105Msps 低功率双通道 ADC
AD5170:256位、两次可编程、 I2C 兼容型数字电位计
LTC6909:采用扩频调制、可提供 1 至 8 个输出的多相硅振荡器
LTC2615:采用 14 引脚 SSOP 封装的八通道、I2C、16 位轨至轨 DAC
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