HMC561LP3ETR是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能有源倍频器芯片，采用先进的GaAs HBT工艺制造，封装于紧凑的16引脚QFN（3mm x 3mm）表面贴装型外壳中。该器件设计用于在8 GHz至21 GHz的极宽输入频率范围内工作，其核心架构集成了一个高效的倍频级与输出缓冲放大器，能够将输入射频信号的频率精确地提升至两倍。这种集成化设计不仅简化了外部电路，还显著提升了系统的整体线性度和输出功率稳定性，使其成为高频信号链中的关键有源组件。

该芯片的功能特点突出，其有源倍频机制提供了优异的转换增益，典型值可达正增益，这意味着输出信号的功率可能高于输入信号，有效补偿了无源倍频器固有的插入损耗。同时，其内部集成的输出缓冲放大器提供了良好的隔离度，并能够直接驱动后续的混频器或功率放大器等负载，简化了系统设计。得益于其宽频带特性，HMC561LP3ETR对输入频率的变化不敏感，能够在指定的整个频段内保持稳定的性能，这为需要频率捷变或宽带操作的系统提供了极大的灵活性。

在接口与关键参数方面，该器件采用标准的表面贴装形式，便于集成到现代微波多层PCB中。其工作频率覆盖了C、X、Ku乃至部分K波段，射频接口为单端形式，需要外部提供直流偏置。作为一款有源器件，它需要典型值为+5V的单电源供电，功耗较低。其输出频谱纯度是一个重要指标，能够有效抑制基波和其他杂散分量，确保倍频后信号的质量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ADI中国代理获取该产品，并获得完整的数据手册、评估板以及应用技术支持。

基于其卓越的性能，HMC561LP3ETR非常适合应用于对频率和信号质量有苛刻要求的场景。在点对点及点对多点微波无线电通信系统中，它可用于生成本振（LO）链路的较高频信号。在军用电子战和雷达系统中，其宽频带和快速响应特性使其适用于频率合成和信号生成模块。此外，在卫星通信上行链路、测试与测量设备以及高性能实验室仪器中，该芯片也能作为核心倍频元件，提供纯净、稳定的高频本地振荡源，是工程师构建先进射频前端架构的理想选择。

• 型号:HMC561LP3ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
• 描述:IC MULTIPLIER X2 BB FREQ 16-QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 功能:频率系数
• 频率:8GHz ~ 21GHz
• 射频类型:通用
• 辅助属性:有源倍频器
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC561LP3ETR优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC561LP3ETR是ADI公司生产的一款表面贴装有源倍频器IC，隶属于其高性能RF IC和模块系列。该器件采用16-VFQFN紧凑封装，支持卷带或剪切带包装，便于自动化生产。

其核心功能是在8 GHz至21 GHz的极宽输入频率范围内，执行精确的频率二倍频操作。作为一款有源器件，它不仅实现了频率转换，更通过内部集成放大器提供了转换增益，有效提升了输出信号功率并改善了端口隔离度。这些特性使其成为在C波段至K波段范围内，构建高纯度、高稳定性本振信号链的关键元件。