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HMC553ALC3BTR-R5 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD
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HMC553ALC3BTR-R5 技术参数详情:

HMC553ALC3BTR-R5是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器,采用紧凑的12引脚CLCC表面贴装封装,并以卷带形式供货,适用于高密度自动化生产。该器件专为7 GHz至14 GHz的Ku波段应用而优化,其核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)工艺,集成了高性能的肖特基二极管混频核心与片上巴伦结构。这种集成化设计不仅实现了从射频(RF)到中频(IF)信号的高效、线性转换,还显著减少了对外部匹配和平衡-不平衡转换器的依赖,从而简化了系统设计并提升了整体可靠性。

在功能表现上,该混频器在宽达7GHz的工作带宽内提供了卓越的线性度和隔离度。其双平衡设计有效抑制了本振(LO)和射频端口之间的相互干扰,确保了纯净的频谱输出,这对于高阶调制系统和密集频谱环境至关重要。尽管其转换增益未在基本参数中明确标注,但8 dB的典型噪声系数使其在接收链路前端能有效维持系统的灵敏度,降低整体噪声基底。该器件对供电要求简洁,通常仅需单电源为本振驱动器供电,进一步简化了外围电路设计。

从接口与关键参数来看,HMC553ALC3BTR-R5覆盖了射频、本振和中频三个标准端口,支持上变频和下变频操作。其工作频率范围精准覆盖了卫星通信、点对点无线电以及雷达系统的常用频段。表面贴装型的12-CLCC封装确保了良好的热性能和射频接地,同时其有源状态保证了产品的长期供货稳定性与性能一致性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取完整的技术支持与供货保障。

该混频器的典型应用场景非常广泛,主要集中于对频率和线性度有苛刻要求的领域。在卫星通信上行/下行链路中,它可用于变频模块;在军用和民用雷达系统(特别是Ku波段雷达)中,作为接收机前端的核心变频器件;此外,也适用于微波点对点回程、测试与测量设备以及电子战系统。其宽频带特性使其能够适应多频段或多模式系统设计,为工程师提供了一个高性能、高集成度的射频解决方案。

  • 型号:HMC553ALC3BTR-R5
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:-
  • 频率:7GHz ~ 14GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-CLCC 焊盘
  • 供应商器件封装:12-CLCC(2.9x2.9)
  • HMC553ALC3BTR-R5优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC553ALC3BTR-R5是ADI公司推出的一款MMIC双平衡混频器,采用12-CLCC表面贴装封装。该器件专为7 GHz至14 GHz的Ku波段射频系统设计,集成了高性能的混频核心与巴伦,实现了高水平的端口隔离与线性变频性能。

其核心优势在于宽频带工作范围内的稳定表现,典型噪声系数为8 dB,有助于维持接收链路的灵敏度。作为一款有源器件,它以卷带形式供货,适合自动化贴装生产,为卫星通信、雷达及点对点无线电等应用提供了一个紧凑且可靠的变频解决方案。

AD7818:片内集成温度传感器的单通道、9 s、10位ADC
AD711:精密、低成本、高速、BiFET运算放大器
LT1167:可利用单个电阻器来设置增益的精准型仪表放大器
ADRF5019:100 MHz 至 13 GHz 硅 SPDT 非反射式开关
ADCMP582:超快型SiGe电压比较器,内置小摆幅PECL输出驱动器
LTC2266-12:12 位、80Msps 低功率双通道 ADC
HMC636:高IP3 SMT放大器,0.2 - 4.0 GHz
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