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HMC551LP4ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MIXER DBL-BAL HI IP3 24-QFN
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HMC551LP4ETR 技术参数详情:

HMC551LP4ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、双平衡有源混频器,采用紧凑的24引脚QFN封装。该芯片的核心架构基于先进的GaAs HBT工艺,集成了本振(LO)缓冲放大器、射频(RF)与中频(IF)匹配网络以及双平衡混频器核心。这种集成化设计不仅优化了信号路径,减少了外部元件需求,还显著提升了整体线性度与端口隔离度,为高频应用提供了稳定可靠的信号转换基础。

该器件在800MHz至1.2GHz的射频频率范围内工作,专为要求苛刻的高线性度应用而优化。其最突出的功能特点是极高的输入三阶截取点(IP3),典型值可达+25 dBm,这使其在存在强干扰信号的环境中仍能保持优异的线性性能,有效抑制互调失真。同时,8 dB的噪声系数在同类高线性度混频器中表现均衡,兼顾了接收链路的灵敏度需求。作为升频或降频器使用时,其内置的LO缓冲放大器允许使用较低功率的本振驱动,简化了系统设计。

在接口与电气参数方面,HMC551LP4ETR采用单电源+5V供电,典型工作电流为62mA,功耗控制合理。其表面贴装型的24-VFQFN封装具有优异的热性能,适合高密度PCB布局。所有端口(RF, LO, IF)均内部匹配至50欧姆,极大简化了板级阻抗匹配设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是确保产品原装性和获得完整设计资源的重要途径。

该混频器主要面向对线性度和可靠性有严格要求的无线基础设施和通信设备应用场景。它非常适合用于3G基站、GSM中继器、点对点射频链路以及各类测试测量设备中的上变频或下变频级。在接收通道中,其高IP3特性能够有效处理邻近信道干扰;在发射通道中,则有助于降低对功率放大器线性度的要求,从而提升整个发射系统的效率与性能。

  • 型号:HMC551LP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER DBL-BAL HI IP3 24-QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 射频类型:手机,3G,GSM
  • 频率:800MHz ~ 1.2GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:62mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC551LP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC551LP4ETR是ADI公司推出的一款高线性度有源双平衡混频器,采用24-QFN封装,工作频率覆盖800MHz至1.2GHz,专为手机(3G/GSM)等无线通信基础设施设计。

该器件的核心优势在于其卓越的线性度表现,能够满足严苛的射频环境要求。同时,其单+5V供电、62mA的工作电流以及内部50欧姆端口匹配的设计,为系统集成提供了便利,适用于需要高性能升频或降频转换的应用场合。

ADG749:CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5 Ω 2:1多路复用器/单刀双掷开关,采用SC70封装
ADG5413BF:双向故障保护和检测、10 RON、四通道单刀单掷开关,两个常开、两个常闭
ADRV9009:集成式双射频发射器、接收器和观测接收器
LTC1264:高速、四通道、通用型滤波器单元式部件
AD8572:零漂移、单电源RRIO双通道运算放大器
HMC772:Low Noise Amplifier SMT, 2 - 12 GHz
ADM213:0.1 F、+5V CMOS RS-232 200kBPS收发器,具有4个驱动器、5个接收器、关断引脚和使能引脚,关断期间2个接收器保持活动
LTC4227:双通道理想二极管和单通道热插拔控制器
ADA4505-1:10µA、轨到轨I/O、零输入交越失真放大器
LTC222:具数据锁存器的微功率、低电荷注入、四通道 CMOS 模拟开关
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