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HMC524LC3BTR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-SMT(3x3)
  • 技术参数:IC MMIC IQ MIXER 12SMD
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HMC524LC3BTR 技术参数详情:

HMC524LC3BTR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)IQ混频器。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,集成了两个独立的混频器核心,构成了一个完整的正交(I/Q)调制或解调功能单元。其核心架构旨在实现从22GHz至32GHz的Ku波段及Ka波段边缘频率范围内,对射频信号进行精确的正交上变频处理,内部集成了本振(LO)分配网络与90度移相器,确保了I、Q两路信号之间良好的幅度平衡与相位正交性,这对于高阶调制格式的信号生成至关重要。

该混频器具备卓越的线性度与隔离度性能。在典型工作条件下,它能提供优异的LO-to-RF以及LO-to-IF隔离,有效减少了本振泄漏对输出频谱的污染,简化了系统滤波要求。作为一款上变频器(升频器),它能够将中频(IF)信号直接转换到微波频段,其紧凑的MMIC设计消除了传统分立方案中的复杂匹配网络,显著提升了系统的可靠性与一致性。虽然其具体增益、噪声系数及供电参数未在通用描述中明确标定,但其设计优化于变频损耗、线性度和端口隔离度的平衡,适用于对频谱纯度有严格要求的场景。

在接口与物理特性方面,HMC524LC3BTR采用表面贴装型的12引脚VFQFN封装,尺寸紧凑,便于集成到高密度的微波模块与多层电路板中。其支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适合自动化贴片生产,提高了大规模组装的效率。尽管该产品目前已处于停产状态,但其技术规格在特定存量应用或替代方案评估中仍具重要参考价值。对于需要获取此类高性能射频器件的用户,可以咨询专业的ADI中国代理,以获取关于库存、替代产品或技术支持方面的服务。

该芯片典型的应用场景集中于需要高性能微波上变频的领域。它非常适用于点对点无线通信链路、卫星通信上行链路、微波无线回传以及测试测量设备中的本地振荡器链或信号发生模块。其宽广的22-32GHz工作频率覆盖了多个重要的通信与雷达频段,能够支持高阶QAM等调制方式,是构建现代高速数字微波发射前端的核心元器件之一。

  • 型号:HMC524LC3BTR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-SMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ MIXER 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:22GHz ~ 32GHz
  • 混频器数:2
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:升频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:12-SMT(3x3)
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HMC524LC3BTR是ADI公司推出的一款MMIC IQ混频器,属于射频混频器系列。该器件工作频率覆盖22GHz至32GHz的微波频段,集成了两个混频器,专门设计用作升频器(上变频器),能够高效地将中频信号转换至Ku/Ka波段。

其核心卖点在于采用单片集成技术,在单一芯片上实现了完整的正交(I/Q)上变频功能,包括内部LO分配与移相,确保了优异的幅度与相位平衡。器件采用12-VFQFN表面贴装封装,支持自动化贴装,适用于高集成度微波模块设计。

HMC515:采用SMT封装的VCO,具有Fo/2,提供4分频,11.5 - 12.5 GHz
AD6679:135 MHz带宽中频分集接收机
ADPA7009-2:20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier
LTC4150:库仑计量器/电池电量测量芯片
ADL5519:1 kHz 至10 GHz 、62 dB双通道对数检波器/控制器
LTC1861L:采用 MSOP 封装的微功率、3V、12 位、150ksps 双通道 ADC
AD842:宽带、高输出电流、快速建立运算放大器
AD708:超低失调电压、双通道运算放大器
LT1027:精准型 5V 基准
LT1055:精准、高速、JFET 输入运算放大器
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