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HMC523LC4TR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC IQ MIXER 24SMD
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HMC523LC4TR 技术参数详情:

HMC523LC4TR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)IQ混频器,采用紧凑的24引脚TFQFN表面贴装封装,专为15GHz至23GHz的微波频段设计。该器件集成了两个独立的混频器核心,构成了一个完整的正交(IQ)调制/解调架构,能够在一个紧凑的芯片内同时处理信号的同相(I)和正交(Q)分量,这对于实现高阶调制格式和复杂的数字信号处理至关重要。

该芯片的核心功能是实现频率的上变频,即作为升频器使用,能够将中频或基带信号高效地转换到Ku波段(15-23GHz)的射频载波上。其设计采用了先进的GaAs工艺,确保了在宽频带范围内具有出色的线性度和端口间隔离度。虽然具体增益和噪声系数参数未公开标注,但其MMIC架构通常意味着优化的内部匹配和较低的插入损耗,有助于简化系统级设计并提升整体射频链路的性能。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI中国代理获取相关的技术资料与库存信息。

在接口与参数方面,HMC523LC4TR工作于15GHz至23GHz的射频范围,覆盖了卫星通信、点对点无线电以及测试测量设备常用的频段。它采用表面贴装技术,符合现代自动化生产要求,其24-TFQFN封装提供了良好的热性能和电磁屏蔽。器件需要外部提供本振(LO)信号以及直流偏置,其IQ双通道架构要求系统提供两路相位精确相差90度的本振信号,以实现正确的正交调制或解调功能。

该混频器典型的应用场景包括微波点对点通信链路、VSAT卫星通信上行链路、军用电子战(EW)系统以及高级测试仪器中的上变频模块。其宽频带特性使其能够适应不同区域或标准的频率规划要求,而IQ调制能力则是实现QPSK、QAM等高频谱效率调制方案的基础。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计代表了在特定高频段实现紧凑型、高性能射频前端的一种经典解决方案,在现有的许多通信与雷达系统中仍可能被采用。

  • 型号:HMC523LC4TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ MIXER 24SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:15GHz ~ 23GHz
  • 混频器数:2
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:升频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-TFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
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HMC523LC4TR是一款由Analog Devices生产的MMIC IQ混频器,工作频率覆盖15GHz至23GHz的Ku波段。该器件集成了双混频器核心,构成一个完整的正交调制/解调器,主要功能是实现信号的上变频(升频器),适用于需要处理I/Q分量的复杂调制系统。

其采用24-TFQFN表面贴装封装,便于高密度PCB集成。核心卖点在于其宽频带操作能力与内置的IQ架构,这为设计高频、高数据吞吐量的微波通信链路(如点对点回传、卫星通信)提供了关键的上变频功能,有助于简化射频前端设计并提升系统性能。

ADG722:CMOS、低压、4 Ω、双通道单刀单掷开关,采用3 MM × 2 MM LFCSP封装
LTC3207:600mA 通用型多输出 LED/CAM 驱动器
AD9235:12位、20/40/65 MSPS、3 V 模数转换器(ADC)
ADUM4223:5 KV rms隔离式精密半桥驱动器,提供4 A输出
AD585:完整的单芯片SHA电路
ADF4360-6:集成式整数N分频频率合成器和VCO,输出频率为1050至1250 MHz
AD9649:14位、20/40/65/80 MSPS、1.8 V模数转换器
HMC6187:可变增益放大器,采用SMT封装,27 - 31.5 GHz
HMC724:14 Gbps快速上升时间1:2扇出缓冲器
ADM3057E:适用于 CAN FD 的 3 kV rms 信号和电源隔离式 CAN 收发器
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