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HMC520-SX 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:模具
  • 技术参数:IC MMIC IQ MIXER DIE 1=2PCS
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HMC520-SX 技术参数详情:

作为一款工作在6GHz至10GHz频段的单片微波集成电路(MMIC),HMC520-SX采用了先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造,其核心是一个集成了两个独立混频器单元的IQ(同相/正交)混频器架构。这种设计使得芯片能够在一个紧凑的裸片(Die)封装内,同时处理信号的I路和Q路分量,为复杂的调制与解调应用提供了硬件基础。其内部集成了本振(LO)缓冲放大器、射频(RF)巴伦以及中频(IF)输出匹配网络,确保了在宽频带范围内具有良好的端口匹配和隔离度,简化了外围电路设计。

该器件的主要功能是实现上变频(升频器),将较低频率的中频信号搬移至6GHz至10GHz的射频范围。其双混频器设计支持正交调制,这对于需要高频谱效率的现代通信系统(如QPSK、QAM调制)至关重要。宽工作带宽覆盖了C波段和部分X波段,使其能够适应多种频点需求。尽管官方参数未明确标注转换增益和噪声系数,但基于其工艺和架构,该芯片在典型应用下能提供稳定的性能。其表面贴装型的模具封装形式,要求用户具备相应的共晶焊或导电胶粘接的芯片贴装能力,通常需要通过专业的ADI代理或分销渠道获取技术支持与供应链服务。

在接口与电气参数方面,HMC520-SX需要外部提供本振信号驱动其内部缓冲器。其射频、本振和中频端口均为单端或差分设计,具体需参考数据手册的推荐电路。作为一款裸片产品,它没有定义传统的供电电压和电流参数,其工作偏置通常由外部通过中频端口或独立的偏置网络提供,这为设计者提供了根据具体系统需求优化功耗和线性度的灵活性。需要注意的是,该产品状态已标记为停产,意味着它已进入生命周期末期,适用于现有系统的维护或对特定批次有要求的应用。

鉴于其技术特性,HMC520-SX非常适合于点对点微波无线电、卫星通信上行链路、军用电子战(EW)系统以及测试测量设备中的上变频模块。在这些应用场景中,其宽频带和IQ处理能力有助于实现高数据速率传输和复杂的频谱成型。工程师在选用时,需综合考虑其停产状态,并评估替代方案或确保有足够的库存支持产品生命周期。

  • 型号:HMC520-SX
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC IQ MIXER DIE 1=2PCS
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:6GHz ~ 10GHz
  • 混频器数:2
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:升频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
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HMC520-SX是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC IQ混频器裸片,属于其射频混频器系列。该器件专为6GHz至10GHz(C至X波段)的上变频应用而设计,采用散装模具形式,适用于表面贴装集成。

其核心价值在于集成了两个混频器,构成一个完整的IQ混频器单元,能够直接支持正交调制与解调,简化了射频前端架构。宽达4GHz的操作带宽提供了显著的频率灵活性,适用于多种微波频段系统。作为一款裸片产品,它为高性能、高集成度的微波模块设计提供了基础元件,尤其适合对空间和性能有严苛要求的应用。

ADF7020-1:高性能ISM频段FSK/ASK收发器IC
HMC347ALP3E:GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 14 GHz
LT1463:四通道、微功率、260μW C-Load 微微安培偏置电流 JFET 输入运算放大器
LTC3226:具后备 PowerPath 控制器的两节超级电容器充电器
LTC6900:低功率、1kHz 至 20MHz 电阻器设定频率范围、SOT-23 封装的振荡器
LT3745-1:具降压型控制器的 16 通道、50mA LED 驱动器
AD7781:20位、引脚可编程的超低功耗ΣΔ型ADC
ADM1166:集成余量微调控制和非易失性故障记录功能的超级时序控制器
HMC695:x4有源倍频器,11.4 - 13.2 GHz输出
LT6372-0.2:具有电平转换和输出箝位的精密漏斗式仪表放大器
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