
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器),封装:
- 技术参数:VCO 39.105/10.945GHZ 2-13V 5X5MM
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HMC5132LP5E是ADI(Analog Devices)公司HMC513系列中的一款高性能压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的GaAs HBT MMIC工艺制造,其核心架构集成了谐振电路、负阻有源器件以及缓冲输出放大器于单片之上。这种高度集成的设计确保了在宽频带范围内信号的纯净度与稳定性,同时有效抑制了寄生振荡,为系统提供了可靠的本地振荡源。
该VCO具备卓越的电气性能,其频率覆盖范围宽广,支持5.2 GHz至5.73 GHz以及10.43 GHz至22.46 GHz的双频段操作,中心频率分别为10.945 GHz和39.105 GHz。通过施加2V至13V的调谐电压,可以实现对输出频率的精确线性控制,其调谐灵敏度(推移)典型值为25 MHz/V。极低的相位噪声是其突出特点,在典型工作条件下可达-110 dBc/Hz,这对于要求严苛的通信和雷达系统的接收机灵敏度与发射信号频谱纯度至关重要。此外,其输出功率在不同频段表现稳定,典型值在-7 dBm至8 dBm之间,并集成了缓冲放大器,有效隔离了负载变化对核心振荡电路的影响。
在接口与参数方面,HMC5132LP5E采用单电源供电,典型工作电压为3V,最大工作电流为290mA。其二次谐波抑制典型值为15 dBc,有助于简化后级滤波电路设计。器件采用紧凑的5mm x 5mm、32引脚VFQFN(CSP)封装,具有良好的散热性能和占板面积优势,适合高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围(-40°C至85°C)保证了在工业及户外恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定货源的客户,可以通过专业的ADI芯片代理渠道进行咨询与采购。
这款VCO主要面向对频率源性能有高标准要求的微波无线电应用。它是点对点/点对多点微波通信链路、VSAT卫星通信终端、军用电子战(EW)系统以及测试测量设备中频率合成单元的理想核心器件。其宽调谐范围和高线性度特性,使其能够灵活适配多种信道规划方案,而优异的相位噪声指标则直接提升了整个射频前端的动态范围与信号质量。
- 型号:HMC5132LP5E
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:
- 类目:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器)
- 描述:VCO 39.105/10.945GHZ 2-13V 5X5MM
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 频率范围:5.2 ~ 5.73GHz,10.43 ~ 22.46GHz
- 频率 - 中心:39.105GHz,10.945GHz
- 电压 - 供电:3V
- 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
- 二次谐波,典型值(dBc):15
- 最大 Icc:290mA
- 推移(MHz/V):25(典型值)
- 功率 (dBm):-7 ±3,8 ±3,7.5 ±2.5
- 典型相位噪声 (dBc/Hz):-110
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘,CSP
- 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽(5.00mm x 5.00mm)
- 高度:0.039\\
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HMC5132LP5E是一款由ADI公司推出的高性能、双频段压控振荡器(VCO)。该器件基于GaAs HBT MMIC工艺,核心频率覆盖5.2 GHz至5.73 GHz以及10.43 GHz至22.46 GHz范围,通过2V至13V的调谐电压实现精确的频率控制。
其关键性能指标包括典型的-110 dBc/Hz低相位噪声、高达25 MHz/V的调谐灵敏度以及稳定的输出功率。器件采用3V单电源供电,工作于-40°C至85°C的工业温度范围,并集成于紧凑的5mm x 5mm封装内,为微波通信、雷达及测试设备提供了高集成度、高可靠性的本地振荡解决方案。



















