
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器),封装:
- 技术参数:VCO 4.8GHZ/9.6GHZ 2-13V 5X5MM
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HMC511LP5TR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能、宽频带压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的GaAs HBT MMIC工艺制造,集成了谐振电路、负阻有源器件以及缓冲输出放大器于一个紧凑的芯片内,构成了一个完整的振荡器解决方案。其核心架构旨在实现低相位噪声和高谐波抑制,通过内部优化的电路布局和偏置设计,确保了在宽温度范围和电源电压变化下的频率稳定性与输出功率一致性。
该VCO提供两个独立的、频率范围分别为4.525 GHz至5.075 GHz以及9.05 GHz至10.15 GHz的基波输出,其对应的中心频率为4.8 GHz和9.6 GHz。这种双频带覆盖能力使其能够灵活适配多种射频链路设计。其典型相位噪声在1 MHz偏移处低至-115 dBc/Hz,为系统提供了优异的频谱纯度。同时,输出功率在基波频段典型值为8 dBm,在二次谐波频段典型值为12.5 dBm,并具备良好的容差,为后续混频或放大级提供了充足的驱动。其调谐电压范围宽达2V至13V,调谐灵敏度(推移)典型值为15 MHz/V,提供了精确的频率控制能力。
在接口与电气参数方面,HMC511LP5TR采用单5V电源供电,最大工作电流为300mA。它采用节省空间的5mm x 5mm、32引脚QFN(四方扁平无引线)封装,这种封装具有良好的热性能和射频屏蔽特性。器件的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ADI一级代理商进行采购与咨询。
凭借其宽频带、低相位噪声和高输出功率的特性,该芯片非常适用于点对点及点对多点无线电、卫星通信终端、测试仪器仪表以及军用电子系统中的本振(LO)生成单元。它能够有效简化射频前端设计,减少外部元件数量,是构建高性能、高可靠性微波系统的关键元器件之一。
- 型号:HMC511LP5TR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:
- 类目:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器)
- 描述:VCO 4.8GHZ/9.6GHZ 2-13V 5X5MM
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 频率范围:4.525 ~ 5.075GHz,9.05 ~ 10.15GHz
- 频率 - 中心:4.8GHz,9.6GHz
- 电压 - 供电:5V
- 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
- 二次谐波,典型值(dBc):15
- 最大 Icc:300mA
- 推移(MHz/V):15
- 功率 (dBm):8±3,12.5±3.5
- 典型相位噪声 (dBc/Hz):-115
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
- 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽(5.00mm x 5.00mm)
- 高度:0.039\\
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HMC511LP5TR是ADI公司推出的一款宽频带、低相位噪声压控振荡器。该器件覆盖4.525-5.075 GHz和9.05-10.15 GHz两个独立频段,中心频率分别为4.8 GHz和9.6 GHz,为多频段射频系统设计提供了高度集成的解决方案。
其核心优势在于优异的射频性能,典型相位噪声低至-115 dBc/Hz @ 1 MHz偏移,同时提供8 dBm(基波)和12.5 dBm(二次谐波)的稳定输出功率。器件采用5V单电源供电,工作于-40°C至85°C的工业温度范围,并采用紧凑的5x5 mm QFN封装,确保了在空间受限和环境严苛的应用中的可靠性与高性能。



















