
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器),封装:
- 技术参数:VCO 3.857GHZ/7.75GHZ 2-13V 5X5MM
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HMC508LP5TR是ADI(Analog Devices)公司推出的一款高性能宽带压控振荡器(VCO),采用紧凑的5x5mm QFN封装。该器件采用先进的GaAs HBT MMIC工艺设计,集成了谐振电路、负阻有源器件和输出缓冲放大器于单一芯片,构成了一个完整的振荡器核心。其架构确保了在宽频带范围内能够产生稳定、低噪声的射频信号,同时通过内部优化设计,有效抑制了电源噪声和负载变化对输出频率稳定性的影响,为系统提供了可靠的本地振荡源。
该VCO具备双频带输出能力,覆盖3.65GHz至4.1GHz以及7.3GHz至8.2GHz两个独立的频段,中心频率分别为3.857GHz和7.75GHz。这种设计使其能够灵活适配不同信道间隔和带宽要求的应用。其调谐电压范围为2V至13V,标准调谐灵敏度(推移)为10MHz/V,提供了良好的线性度和频率控制精度。在相位噪声性能方面,该器件在典型条件下可达-116 dBc/Hz @ 100 kHz偏移,这一指标对于维持通信链路的信噪比和降低误码率至关重要。输出功率在低频带为7dBm±3dBm,在高频带为14.5dBm±2.5dBm,充足的驱动能力可以减少后级放大需求,简化系统设计。
在电气接口方面,HMC508LP5TR采用单5V电源供电,最大工作电流为280mA。其控制接口简单,仅需通过调谐电压引脚(VTUNE)施加模拟电压即可实现频率的连续调节。器件提供了标准的二次谐波抑制,典型值为20dBc,有助于净化频谱。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过专业的ADI芯片代理获取该器件的库存、替代方案或应用指导。
凭借其优异的性能,该VCO主要面向点对点及点对多点无线电通信、微波通信链路、VSAT卫星通信终端、测试测量仪器以及军用电子系统等领域。在这些应用中,它常作为上/下变频器的本振源,其宽带特性和低相位噪声对于实现高数据速率传输和精确的信号处理具有重要意义。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在存量市场及特定定制项目中仍具备参考和应用价值。
- 型号:HMC508LP5TR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:
- 类目:晶体,振荡器,谐振器 > VCO(压控振荡器)
- 描述:VCO 3.857GHZ/7.75GHZ 2-13V 5X5MM
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 频率范围:3.65 ~ 4.1GHz,7.3 ~ 8.2GHz
- 频率 - 中心:3.857GHz,7.75GHz
- 电压 - 供电:5V
- 调谐电压 (VDC):2 V ~ 13 V
- 二次谐波,典型值(dBc):20
- 最大 Icc:280mA
- 推移(MHz/V):10(典型值)
- 功率 (dBm):7 ±3,14.5 ±2.5
- 典型相位噪声 (dBc/Hz):-116
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
- 大小 / 尺寸:0.197 长 x 0.197 宽(5.00mm x 5.00mm)
- 高度:0.039\\
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HMC508LP5TR是一款由ADI公司生产的高性能、宽带双频段压控振荡器。该器件核心优势在于其覆盖3.65-4.1GHz和7.3-8.2GHz的宽频率范围,并分别提供7dBm和14.5dBm的典型输出功率,具备良好的带内驱动能力。
在关键射频指标上,它表现出优异的相位噪声特性,典型值为-116 dBc/Hz,同时提供20dBc的典型二次谐波抑制,有助于提升系统频谱纯度。器件采用5V单电源供电,通过2至13V的模拟调谐电压进行频率控制,其10MHz/V的调谐灵敏度确保了频率控制的线性与精度。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)与紧凑的5x5mm QFN封装,使其能够适应对可靠性和空间均有要求的严苛应用环境。



















