
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > RF 调制器,封装:16-QFN(3x3)
- 技术参数:RF MODULATOR 1.8GHZ-2.2GHZ 16QFN
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HMC500LP3ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能射频(RF)向量调制器,采用紧凑的16引脚QFN封装,专为1.8GHz至2.2GHz频段内的复杂信号调制应用而设计。该芯片集成了高线性度的混频器核心与精密的I/Q(同相/正交)调制架构,能够在单芯片上实现从基带I/Q信号到射频信号的直接上变频转换。其内部架构基于先进的GaAs(砷化镓)工艺,确保了在宽频带范围内优异的幅度与相位一致性,同时集成了必要的偏置电路和匹配网络,极大简化了外部电路设计,提升了系统的集成度与可靠性。
在功能表现上,该器件具备高达16dBm的输出1dB压缩点(P1dB),使其能够处理高动态范围的输入信号,有效抑制因非线性失真产生的杂散分量,适用于对信号纯度要求苛刻的通信系统。其本底噪声低至-162dBm/Hz,为系统提供了出色的接收灵敏度与信噪比基础。芯片在8V单电源供电下典型工作电流为90mA,在提供高性能的同时兼顾了功耗的优化。其向量调制功能允许通过独立的I路和Q路基带输入,精确控制输出射频信号的幅度和相位,从而实现复杂的数字调制格式,如QPSK、16QAM等,是软件定义无线电(SDR)和自适应波束成形系统中的关键元件。
该调制器提供了标准化的差分或单端接口,便于与常见的数模转换器(DAC)或基带处理器连接。其射频端口内部已匹配至50欧姆,减少了外部阻抗匹配元件的需求。稳定的性能表现使其对电源纹波和温度变化不敏感,确保了在复杂环境下的长期工作稳定性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ADI一级代理商获取该产品,以确保原装正品和完整的应用支持。
基于其高线性度、低噪声和灵活的调制能力,HMC500LP3ETR非常适合应用于新一代无线通信基础设施,包括但不限于4G LTE和5NR的基站收发信台(BTS)、微波点对点回传链路、卫星通信上行链路以及测试测量设备中的信号发生模块。在这些场景中,它能够高效地完成频谱搬移和复杂调制,是构建高性能、可重构射频前端的理想选择。
- 型号:HMC500LP3ETR
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-QFN(3x3)
- 类目:射频和无线 > RF 调制器
- 描述:RF MODULATOR 1.8GHZ-2.2GHZ 16QFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 功能:向量调制器,混频器
- LO 频率:-
- 射频频率:1.8GHz ~ 2.2GHz
- P1dB:16dBm
- 本底噪声:-162dBm/Hz
- 输出功率:-
- 电流 - 供电:90 mA
- 电压 - 供电:8V
- 测试频率:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:16-QFN(3x3)
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HMC500LP3ETR是一款工作于1.8GHz至2.2GHz频段的高性能射频向量调制器。该器件集成了混频器功能,采用16引脚QFN封装,在8V单电源供电下功耗典型值为90mA,专为需要高线性度和精密I/Q调制的应用而优化。
其核心优势在于出色的射频性能:输出1dB压缩点(P1dB)高达16dBm,确保了处理大信号时优异的线性度;同时,极低的本底噪声(-162dBm/Hz)为系统提供了卓越的动态范围基础。这些特性使其能够高效、纯净地实现从基带到射频的复杂信号调制与上变频转换。



















