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HMC483MS8GETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:8-MSOP-EP
  • 技术参数:RF MIXER W/LO AMP 1.5GHZ 8MSOP
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HMC483MS8GETR 技术参数详情:

HMC483MS8GETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的射频(RF)混频器芯片,采用紧凑的8引脚MSOP封装,专为700MHz至1.5GHz频段的通用射频应用而优化。其核心架构集成了一个高性能的混频器内核与一个集成的本振(LO)放大器,这种集成化设计显著简化了外部电路,减少了所需的外围元件数量,从而在提升系统整体性能的同时,有效降低了设计复杂度和物料成本。

该器件在功能上实现了上变频或下变频的信号处理。其内置的LO放大器提供了充足的驱动能力,确保了混频器在宽频带范围内都能获得稳定且低相位噪声的本振信号,这对于维持高动态范围和优良的线性度至关重要。工作频率覆盖700MHz至1.5GHz,使其能够灵活适配多种无线通信标准。作为一款表面贴装型器件,其8-MSOP封装(3.00mm宽)非常适合高密度PCB布局,满足现代通信设备小型化的需求。值得注意的是,该产品目前处于停产状态,在为新设计选型时需考虑替代方案或库存供应,建议通过可靠的ADI授权代理渠道获取准确的供货信息和技术支持。

在接口与关键参数方面,HMC483MS8GETR作为一款无源双平衡混频器(需外部LO驱动其内部放大器),提供了标准的射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口。其设计注重在宽输入频率范围内保持良好的端口间隔离度与转换损耗性能。虽然具体的转换增益、噪声系数和三阶交调截点(IP3)等参数需参考详细的数据手册,但其“RF Mixer w/ LO Amp”的定位明确指向了需要简化LO链路设计的应用场景。

基于其性能特点,HMC483MS8GETR非常适合应用于对尺寸和成本敏感的无线基础设施、点对点无线电通信、军用通信系统以及测试测量设备中的变频模块。它能够有效处理基站收发器、中继器以及各类宽带接收机中的射频信号,是实现频率转换功能的一个高集成度解决方案。

  • 型号:HMC483MS8GETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP-EP
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:RF MIXER W/LO AMP 1.5GHZ 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 功能:LO 放大器,混频器
  • 频率:700MHz ~ 1.5GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-MSOP-EP
  • HMC483MS8GETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC483MS8GETR是ADI公司推出的一款集成LO放大器的射频混频器,采用8-MSOP表面贴装封装。其核心卖点在于将混频器与LO驱动器单片集成,工作频率覆盖700MHz至1.5GHz的通用射频频段,为设计提供了显著的简化和尺寸优势。

该器件专为需要上变频或下变频功能的应用而设计,内置放大器确保了本振信号的稳定驱动,有助于优化系统的整体线性度和动态范围。其紧凑的封装形式使其成为空间受限的无线通信设备、测试仪器及军用电子系统中实现高效频率转换的理想选择。

LTC2231:10 位、135Msps ADC
AD5344:+2.5V至5.5V、500 A、四通道、轨到轨电压输出12位DAC,内置并行接口,采用28引脚TSSOP封装
AD7989-5:18位、500 kSPS PulSAR ADC,采用MSOP/LFCSP封装
ADA4084-2S:航空航天用双通道、低噪声、轨到轨I/O、低功耗运算放大器
LTC1960:具 SPI 接口的双电池充电器/选择器
AD5204:4通道数字电位计
HMC1065:GaAs MMIC I/Q下变频器,27 - 34 GHz
LTC4162-S:采用 PowerPath 和 I2C 遥测技术的 35V/3.2A 铅酸降压电池充电器
AD5429:双通道、8位、高带宽、串行接口乘法DAC
AD5114:单通道、32位、I2C、±8%电阻容差、非易失性数字电位计
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