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HMC430LP4ETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC VCO HBT W/BUFFER 24-QFN
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HMC430LP4ETR 技术参数详情:

HMC430LP4ETR是一款由Analog Devices(ADI)公司设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,集成了核心振荡电路与输出缓冲放大器于单一芯片之上,构成了一个完整且高度集成的射频信号源解决方案。其核心振荡电路设计确保了在宽调谐电压范围内输出频率的线性度与稳定性,而集成的缓冲放大器则有效隔离了负载变化对振荡器性能的影响,提供了稳定的输出功率并改善了谐波抑制能力。

该VCO的工作频率覆盖5 GHz至5.5 GHz的C波段范围,这一频段在众多现代无线系统中具有关键应用。器件采用紧凑的24引脚QFN(四方扁平无引线)封装,外形尺寸极小,非常适合高密度的表面贴装(SMT)PCB布局。其设计保证了优异的相位噪声性能,这是衡量振荡器频谱纯度的关键指标,对于需要高信号完整性的通信和测试设备至关重要。此外,其单电源电压供电的简化设计,降低了外围电路的复杂性,便于系统集成。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取原厂正品和技术支持。

在接口与控制方面,HMC430LP4ETR通过一个模拟调谐电压端口(VTUNE)实现对输出频率的连续线性控制,调谐灵敏度(KVCO)经过优化,在提供足够调谐范围的同时,尽可能降低对控制电压噪声的敏感度。其射频输出端口具备50欧姆匹配,简化了与后续射频链路的连接。器件工作在扩展的商业温度范围内,确保了在各种环境条件下的可靠性。其卷带包装形式也完全适配自动化贴片生产流程,有利于大规模制造。

基于其高频、低相位噪声和高度集成的特性,HMC430LP4ETR非常适用于点对点及点对多点无线通信系统、VSAT卫星通信终端、微波无线电链路以及高性能测试测量仪器中的本振(LO)生成单元。在雷达传感器和5G基础设施的毫米波中频转换阶段,它也能作为可靠的频率源。其通用射频类型定位使其成为工程师在C波段进行原型设计或产品开发时的一个高效、省空间的优选方案。

  • 型号:HMC430LP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:IC MMIC VCO HBT W/BUFFER 24-QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO,缓冲放大器
  • 频率:5GHz ~ 5.5GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC430LP4ETR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC430LP4ETR是ADI公司推出的一款MMIC压控振荡器,集成了缓冲放大器,采用HBT工艺和24-QFN封装。其核心功能是在5 GHz至5.5 GHz的频率范围内,通过外部调谐电压提供稳定、低相位噪声的射频信号输出。

该器件将振荡器与输出缓冲器单片集成,显著提升了系统的集成度与可靠性,同时简化了外围电路设计。其表面贴装形式和高频性能使其成为现代紧凑型无线通信设备、测试仪器及雷达系统中本地振荡源部分的理想选择。

AD8014:400 MHz、低功耗、高性能放大器
LT3760:8 通道 x 100mA LED 驱动器
ADA4851-2:低成本、高速、轨到轨输出运算放大器(双通道)
AD73311:单通道、3 V和5 V前端处理器, 适合包括语音和电话在内的一般应用
HMC998A-DIE:GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器,0.1 - 22 GHz
ADPA7005:18 GHz 至 44 GHz GaAs pHEMT 32 dBm (>1 W) MMIC 功率放大器
ADA4861-3:高速、低成本、三通道运算放大器
HMC8119:81 GHz至86 GHz,E频段I/Q上变频器
LTC4278:具同步 No-Opto 反激式控制器和 12V 辅助电源支持功能的 IEEE 802.3at PD
REF191:2.048V、精密、微功耗、低压差、低压基准电压源
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