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HMC347-SX 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:模具
  • 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 20GHZ DIE
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HMC347-SX 技术参数详情:

作为一款工作在毫米波频段的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,HMC347-SX采用了先进的砷化镓(GaAs)工艺和吸收式拓扑结构。其核心架构旨在实现从直流到20GHz的极宽频带内的高性能信号路由,内部集成了精密的控制逻辑与匹配网络,确保在切换射频路径时维持优异的阻抗连续性。这种设计使得芯片在关断状态下能有效吸收反射功率,从而显著提升通道间的隔离度并改善系统的整体驻波比。

该芯片的功能特点突出表现在其卓越的射频性能指标上。在20GHz的测试频率下,它能提供高达45dB的通道隔离,同时将插入损耗控制在1.7dB的较低水平。其线性度表现同样出色,1dB压缩点(P1dB)为23dBm,而三阶交调截取点(IIP3)更是达到43dBm,这使得它能够处理较高功率的信号而不会引入明显的失真。所有端口均匹配至标准的50欧姆阻抗,简化了系统设计中的匹配工作。

在接口与参数方面,HMC347-SX以裸片(Die)形式提供,为需要高度集成和定制化封装的系统设计提供了灵活性。其工作温度范围覆盖军工级标准的-55°C至85°C,确保了在严苛环境下的可靠性。虽然该产品目前已处于停产状态,但对于特定存量项目或备品需求,专业的ADI代理商仍可能提供相关的供应链支持与技术咨询服务。

得益于其宽频带、高隔离和优良的线性度,这款芯片非常适用于对性能要求极高的应用场景。它常被部署在卫星通信(VSAT)、点对点无线回传、测试与测量设备以及军用电子战系统中,用于实现射频信号在多个通道或天线之间的低损耗、高速切换,是构建高性能射频前端的核心元件之一。

  • 型号:HMC347-SX
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:模具
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 20GHZ DIE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 20GHz
  • 隔离:45dB
  • 插损:1.7dB
  • 测试频率:20GHz
  • P1dB:23dBm
  • IIP3:43dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-55°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
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HMC347-SX是ADI(Analog Devices)推出的一款高性能SPDT吸收式射频开关裸片。其核心优势在于覆盖直流至20GHz的极宽工作频带,并在全频带内提供高达45dB的优异隔离度与仅1.7dB的低插入损耗,确保了信号路由的高保真度。

该器件具备23dBm的P1dB和43dBm的IIP3,线性度表现突出,能够处理较高功率的射频信号,有效抑制交调失真。其50欧姆的标准阻抗匹配和宽温工作范围(-55°C至85°C)进一步简化了系统集成,并提升了环境适应性,使其成为要求苛刻的VSAT、测试测量及国防电子系统中射频路径管理的理想选择。

HMC321A:GaAs MMIC SP8T非反射式正控制开关,DC - 8 GHz
LT6559:采用 3mm x 3mm QFN 封装的低成本 5V/±5V 300MHz 三路视频放大器
AD2428:集成 I2S/时分复用 的 A2B 主/从 4xPDM XCVR
ADG1412:1.5 Ω 导通电阻 ±15V/+12V/±5 V iCMOS 四路 SPST 开关
OP727:精密轨到轨输出单电源双通道运算放大器
AD9788:双通道、16位、800 MSPS DAC,内置低功耗32位复数NCO
AD8293G80:带滤波器和固定增益为80的低成本、零漂移仪表放大器
LTC4304:具阻塞总线恢复功能的可热插拔型二线式总线缓冲器
LTC4227:双通道理想二极管和单通道热插拔控制器
LTC3446:具双 VLDO 稳压器的单片式降压型稳压器
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