- 制造厂商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：射频和无线 > 射频放大器，封装:12-SMT（3x3）
- 技术参数：IC RF AMP VSAT 21GHZ-29GHZ 12SMT
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HMC341LC3BTR-R5是ADI（Analog Devices）公司推出的一款高性能单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器，采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，专为21GHz至29GHz的微波频段设计。该器件集成了输入/输出匹配网络，其核心架构优化了在K波段（18GHz-27GHz）及Ka波段（27GHz-40GHz）边缘频段的性能表现，确保了在整个工作频带内具有平坦的增益响应和出色的线性度，为系统前端接收链路提供了可靠的高频信号放大解决方案。
该放大器在21GHz至24GHz的典型测试频率下，能提供13.5dB的稳定增益，同时保持仅为3dB的优异噪声系数，这使其在接收链路中能有效提升系统灵敏度。其输出1dB压缩点（P1dB）达到8.5dBm，在同类低噪声放大器中提供了良好的线性动态范围。器件采用单电源+3V供电，典型工作电流仅为35mA，功耗表现突出，非常适合对功耗敏感的高频便携式或空间受限的模块化应用。工程师在通过ADI代理商获取样品时，可获得完整的设计支持资料。
HMC341LC3BTR-R5采用紧凑的12引脚、3mm x 3mm QFN表面贴装封装，便于集成到多层PCB板中，实现高密度的射频前端布局。其接口设计简洁，外围电路需求极少，通常只需配置电源去耦电容和必要的偏置电路即可稳定工作，极大地简化了系统设计并缩短了开发周期。该器件在-40°C至+85°C的宽温度范围内性能稳定，满足工业级应用的环境可靠性要求。
凭借其覆盖21GHz至29GHz的宽频带特性以及针对VSAT（甚小孔径终端）系统优化的射频性能，该芯片是点对点无线通信、卫星通信终端、微波回程链路以及测试测量设备中高频接收通道的理想选择。它能够有效放大来自天线或下变频器的微弱信号，为后续的混频或数字化处理提供足够的信号电平，是构建高性能K/Ka波段接收机前端的关键有源器件。
- 型号:HMC341LC3BTR-R5
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-SMT（3x3）
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC RF AMP VSAT 21GHZ-29GHZ 12SMT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 频率:21GHz ~ 29GHz
- P1dB:8.5dBm
- 增益:13.5dB
- 噪声系数:3dB
- 射频类型:VSAT
- 电压 - 供电:3V
- 电流 - 供电:35mA
- 测试频率:21GHz ~ 24GHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:12-SMT（3x3）
- HMC341LC3BTR-R5优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC341LC3BTR-R5是ADI公司生产的一款表面贴装型MMIC低噪声放大器，工作频率覆盖21GHz至29GHz的微波频段。该器件在21GHz至24GHz的典型工作条件下，可提供13.5dB的增益，同时噪声系数低至3dB，能显著提升接收链路的信噪比与灵敏度。
其输出1dB压缩点为8.5dBm，确保了良好的线性性能。芯片采用单+3V电源供电，功耗极低，典型工作电流仅为35mA。紧凑的12-VFQFN封装使其非常适合集成到高频模块与系统中，主要面向VSAT卫星通信、点对点射频链路及测试设备等对高频性能和尺寸有严苛要求的应用场景。
