
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频放大器,封装:8-MSOP-EP
- 技术参数:IC AMP HIPERLAN 5GHZ-6GHZ 8MSOP
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HMC318MS8GE是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款专为5GHz至6GHz频段无线应用设计的单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构旨在为接收链路前端提供卓越的信号放大能力,同时将引入的噪声降至最低。内部集成的有源偏置电路确保了放大器在工作温度范围内的性能稳定性,而紧凑的单片设计则有效减少了外围元件数量,简化了系统设计。
该放大器在5GHz至6GHz的整个目标频段内,能够提供典型值为9dB的平坦增益,其2.5dB的低噪声系数特性尤为突出,这对于提升接收机灵敏度、改善系统整体信噪比至关重要。同时,器件在3V单电源供电下,仅消耗6mA的静态电流,体现了出色的能效比。其输出1dB压缩点(P1dB)为2dBm,确保了在典型接收信号电平下具备良好的线性度,能够有效处理多载波或存在一定干扰的信号环境。
在接口与参数方面,HMC318MS8GE采用标准的50欧姆输入输出阻抗匹配,极大地方便了在射频链路中的集成,无需复杂的外部匹配网络。器件采用表面贴装型的8引脚MSOP封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局。其工作电压兼容常见的3V系统,供电设计简单。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定领域仍有应用价值,用户可通过正规的ADI授权代理渠道咨询库存或替代方案。
该芯片主要面向符合HiperLAN和UNII(无需许可的国家信息基础设施)频段规范的应用场景,是构建5GHz无线局域网(WLAN)、宽带无线接入系统以及各类点对点或点对多点无线通信设备接收前端的理想选择。其优异的噪声性能和适中的增益,使其非常适合作为接收机第一级放大,以优化整个链路的噪声系数,广泛应用于接入点、无线网桥、测试测量设备以及需要高性能5GHz频段接收功能的嵌入式无线模块中。
- 型号:HMC318MS8GE
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:8-MSOP-EP
- 类目:射频和无线 > 射频放大器
- 描述:IC AMP HIPERLAN 5GHZ-6GHZ 8MSOP
- 系列:-
- 包装:带
- 产品状态:停产
- 频率:5GHz ~ 6GHz
- P1dB:2dBm
- 增益:9dB
- 噪声系数:2.5dB
- 射频类型:HiperLAN,UNII
- 电压 - 供电:3V
- 电流 - 供电:6mA
- 测试频率:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
- 供应商器件封装:8-MSOP-EP
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HMC318MS8GE是一款由Analog Devices设计的5GHz至6GHz频段单片低噪声放大器(LNA),采用GaAs pHEMT工艺,封装于8引脚MSOP中。该器件为核心接收链路提供了关键的性能优化,其典型增益为9dB,而噪声系数低至2.5dB,能显著提升接收机的灵敏度和动态范围。
在3V单电源供电下,其静态电流仅为6mA,实现了高性能与低功耗的平衡。器件内部已进行50欧姆匹配,简化了射频设计。它主要服务于HiperLAN和UNII频段的应用,如5GHz WLAN系统和无线接入设备,是构建高可靠性接收前端的经典解决方案。



















