
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:6-SMT(5.08x5.08)
- 技术参数:IC MMIC MIXER HI IP3 CERAMIC
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HMC292LM3C是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造。该芯片的核心架构设计旨在实现极宽的射频工作带宽,其内部集成了一个平衡式混频器核心,通过优化的匹配网络和偏置电路,在17GHz至31GHz的Ku波段和Ka波段范围内,能够提供卓越的线性度和稳定的变频性能。其陶瓷封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度,也确保了在严苛环境下的可靠性。
该器件的一个突出功能特点是其极高的三阶截取点(IP3),这使其在接收链路中能够有效抑制强干扰信号,显著提升系统的动态范围和抗阻塞能力。同时,其噪声系数典型值为8dB,在如此宽的高频段内保持了良好的接收灵敏度平衡。作为一款通用型射频混频器,它支持上变频和下变频两种工作模式,为系统设计提供了高度的灵活性。其表面贴装型的6引脚TQFN封装,非常适合于对空间有严格限制的紧凑型微波模块设计。
在接口与关键参数方面,HMC292LM3C覆盖了17GHz到31GHz的射频(RF)与本地振荡(LO)端口频率,中频(IF)端口则支持DC至8GHz的宽频带输出。其端口内部已集成50欧姆匹配,极大简化了外围电路设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但其在特定高性能应用领域积累的设计方案和库存产品,依然通过专业的ADI中国代理渠道为有需求的客户提供支持与服务。工程师在选用时需充分考虑其供应链状态。
基于其优异的宽带性能和线性度,这款混频器非常适合应用于点对点无线通信、卫星通信终端、微波无线电以及高端测试测量设备等场景。在这些系统中,它能够作为核心变频单元,可靠地完成信号的上/下变频任务,是构建高性能毫米波前端电路的经典选择之一。
- 型号:HMC292LM3C
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:6-SMT(5.08x5.08)
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MMIC MIXER HI IP3 CERAMIC
- 系列:-
- 包装:带
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:17GHz ~ 31GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:8dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TQFN 焊盘
- 供应商器件封装:6-SMT(5.08x5.08)
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HMC292LM3C是ADI公司生产的一款采用陶瓷封装的MMIC混频器,属于其射频混频器产品系列。该器件工作频率覆盖17GHz至31GHz的毫米波频段,支持上变频和下变频操作,为系统设计提供了核心的变频功能。
其核心优势在于极高的线性度(高IP3)与8dB的噪声系数,在宽频带内实现了动态范围与接收灵敏度的良好平衡。采用表面贴装型的6-TQFN封装,适用于空间紧凑的高频模块。该产品目前已停产,其技术参数和设计为相关毫米波应用提供了可靠的参考。



















