
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:12-CSMT(3x3)
- 技术参数:IC MMIC MIXER HI IP3 12-QFN
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HMC292LC3B是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)混频器,采用先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺制造。该器件集成了一个平衡混频器核心,其架构旨在优化从16GHz至30GHz的Ku波段和Ka波段频率范围内的射频性能。其内部集成了匹配网络和必要的偏置电路,显著简化了外部电路设计,使得工程师能够快速实现紧凑且高性能的射频前端模块。
该混频器的核心优势在于其卓越的线性度,其典型三阶交调截点(IP3)表现优异,这对于处理高动态范围信号、抑制邻近信道干扰至关重要。同时,9.5dB的噪声系数在同类宽带混频器中属于优秀水平,有助于维持接收链路的整体灵敏度。作为一款升/降频器,它支持上变频(发射)与下变频(接收)两种工作模式,为双向通信系统提供了设计灵活性。其表面贴装型12-VFCQFN封装不仅体积小巧,还提供了良好的热性能和射频接地特性,适合高密度PCB布局。
在接口与参数方面,HMC292LC3B设计为无源双平衡混频器结构,因此无需外部直流供电,简化了电源设计并降低了系统功耗。其射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口均内部匹配至50欧姆,极大地方便了系统集成。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量项目和备件供应中仍有需求,工程师可通过ADI一级代理商等正规渠道获取库存或替代方案咨询。
该芯片典型的应用场景包括点对点微波通信、卫星通信终端、军用电子战(EW)系统、雷达传感器以及测试测量设备。在微波回程链路中,它能高效完成毫米波频段的上/下变频;在雷达前端,其高线性度和宽频带特性支持精确的目标探测与识别。对于需要覆盖Ku/Ka波段的高性能射频系统原型开发或维护,HMC292LC3B提供了一个经过验证的、集成化的混频器解决方案。
- 型号:HMC292LC3B
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:12-CSMT(3x3)
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MMIC MIXER HI IP3 12-QFN
- 系列:-
- 包装:带
- 产品状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:16GHz ~ 30GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:9.5dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:12-VFCQFN 焊盘
- 供应商器件封装:12-CSMT(3x3)
- HMC292LC3B优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC292LC3B是ADI公司推出的一款MMIC混频器,采用12-VFCQFN表面贴装封装,工作频率覆盖16GHz至30GHz的微波波段。该器件集成了一个双平衡混频器,支持上变频和下变频操作,适用于需要高线性度和宽频带性能的射频系统。
其关键性能参数包括优异的线性度(高IP3)以及9.5dB的噪声系数,这使其能够在高动态范围场景下有效工作,同时保持良好的接收灵敏度。作为一款无源混频器,它无需外部直流供电,简化了电路设计。这些特性使其成为点对点通信、卫星通信和雷达等高端应用的理想选择。



















