作为一款工作在毫米波频段的射频集成电路，HMC264LC3BTR-R5采用了先进的GaAs（砷化镓）pHEMT工艺技术进行构建。这种核心架构确保了器件在21GHz至31GHz的极高频段下，依然能实现卓越的线性度和转换效率。其内部集成了关键的无源元件与有源电路，通过精密的单片微波集成电路（MMIC）设计，将混频功能、本振（LO）驱动以及中频（IF）输出匹配网络高度集成在一个微小的芯片内，从而显著减少了外部元件数量，简化了系统设计并提升了整体可靠性。

该器件是一款次谐波泵浦（Sub-Harmonically Pumped）混频器，这意味着其本振输入频率仅为射频信号频率的一半。这一功能特点带来了显著优势：在实现相同频率下变频或上变频功能时，可以大幅降低对本振源频率和相位噪声的要求，从而简化了本振链路的复杂度并降低了系统成本。其噪声系数典型值为9dB，在如此高的频段下表现优异，有助于维持接收链路的整体灵敏度。同时，器件在单端射频和本振端口设计下，仅需28mA的典型工作电流和3V至4V的供电电压，体现了高集成度与低功耗的完美结合。

在接口与参数方面，HMC264LC3BTR-R5采用紧凑的12引脚、3mm x 3mm QFN（四方扁平无引线）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其射频（RF）和本振（LO）端口均为单端50欧姆匹配输入，简化了板级阻抗匹配设计。中频（IF）端口覆盖DC至5GHz的宽频带，为多种调制格式和带宽要求提供了灵活性。稳定的性能表现使其成为从研发原型到大规模生产应用的可靠选择，专业的ADI芯片代理能够为客户提供完整的技术支持和供应链服务。

凭借其覆盖K波段至Ka波段的宽频率范围，该芯片主要面向对频率和尺寸有严苛要求的现代无线系统。其典型应用场景包括点对点微波通信链路、卫星通信终端、军用电子战（EW）与雷达系统以及高容量5G毫米波基础设施。在这些领域中，它能够高效地完成上变频（发射链）或下变频（接收链）的核心信号处理任务，是构建高性能、小型化毫米波射频前端的理想核心元器件。

• 型号:HMC264LC3BTR-R5
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-SMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:通用
• 频率:21GHz ~ 31GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:9dB
• 辅助属性:-
• 电流 - 供电:28mA
• 电压 - 供电:3V ~ 4V
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-SMT（3x3）
• HMC264LC3BTR-R5优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC264LC3BTR-R5是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能次谐波混频器MMIC芯片，采用表面贴装型12-VFQFN封装。该器件专为21GHz至31GHz（K/Ka波段）的毫米波射频系统设计，通过其独特的次谐波泵浦架构，仅需射频频率一半的本振信号即可工作，显著降低了对高频、低相位噪声本振源的设计难度与成本。

其核心参数表现均衡，在单端端口配置下提供9dB的典型噪声系数，并仅需3V至4V供电电压及28mA的工作电流，实现了高频率性能与低功耗的平衡。宽达DC至5GHz的中频带宽为其在通信、雷达等领域的变频应用提供了高度的灵活性，是构建紧凑型、高可靠性毫米波收发前端的优选解决方案。