HMC258LC3BTR 是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的次谐波（Sub-Harmonic）泵浦混频器，采用先进的GaAs（砷化镓）MMIC（单片微波集成电路）工艺制造。其核心架构基于次谐波混频原理，通过利用本振（LO）信号的二次谐波进行频率转换，这有效降低了对本振源频率的要求，在Ku波段等高频应用中，能够显著简化本振链路的设计复杂度和成本。芯片内部集成了匹配良好的肖特基势垒二极管对以及必要的偏置与匹配网络，确保了在宽频带内的高性能与稳定性。

该器件在14.5GHz至19.5GHz的射频（RF）频率范围内工作，专为VSAT（甚小孔径终端）等高频通信系统优化。其噪声系数典型值为10dB，在次谐波混频器类别中提供了优异的接收灵敏度。作为无源混频器，它本身不提供转换增益，但具有出色的线性度，能够处理较高的输入信号功率而不产生严重的失真。器件采用单电源+5V供电，典型工作电流为42mA，功耗控制得当，便于系统集成。其表面贴装型的12引脚VFCQFN封装（3mm x 3mm）具有裸露的接地焊盘，提供了优异的热性能和射频接地，非常适合高密度PCB布局。

在接口与参数方面，HMC258LC3BTR 集成了单通道混频器，需要外部提供射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）三个端口的连接。其紧凑的封装和内部集成的匹配电路，极大减少了外部元件数量，简化了板级设计。用户通过正规的ADI授权代理渠道获取该器件，不仅能确保产品原装正品，还能获得完整的技术资料与供应链支持。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑替代方案或咨询供应商库存情况。

该芯片典型的应用场景集中在微波点对点通信、卫星通信上行/下行链路、VSAT调制解调器以及测试测量设备中的频率转换单元。其工作频段完美覆盖了部分Ku波段卫星通信频率，能够高效地将Ku波段射频信号下变频至较低的中频，或者进行上变频操作。其次谐波混频架构的优势在于，当需要将高频射频信号转换至中频时，所需的本振频率仅为射频频率的一半左右，这降低了对高频、低相位噪声本振源的设计挑战与成本，特别适合在系统体积、成本和性能间寻求平衡的高可靠性商业及工业级射频前端设计。

• 型号:HMC258LC3BTR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-CSMT（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频混频器
• 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:VSAT
• 频率:14.5GHz ~ 19.5GHz
• 混频器数:1
• 增益:-
• 噪声系数:10dB
• 辅助属性:-
• 电流 - 供电:42mA
• 电压 - 供电:5V
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-VFCQFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-CSMT（3x3）
• HMC258LC3BTR优势代理货源，国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC258LC3BTR 是亚德诺半导体推出的一款MMIC次谐波混频器，采用表面贴装封装，专为14.5GHz至19.5GHz的Ku波段VSAT及微波射频系统设计。其核心价值在于利用次谐波混频技术，仅需约一半射频频率的本振信号即可完成频率转换，显著降低了对高频本振源的性能要求和系统设计复杂度。

该器件在指定频段内提供10dB的典型噪声系数，确保了接收通道的良好灵敏度。它采用单+5V电源供电，功耗典型值为210mW（42mA），集成度高，外围电路简洁。其3mm x 3mm的紧凑型QFN封装适合高密度PCB布局，为工程师在有限的板级空间内实现高性能的上下变频功能提供了可靠的解决方案。