
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:模具
- 技术参数:IC MIXER SUB-HARMONIC DIE
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作为一款高性能的微波单片集成电路(MMIC),HMC258-SX采用了先进的GaAs(砷化镓)pHEMT工艺技术进行设计与制造。该架构确保了器件在14GHz至21GHz的极高频(EHF)频段内,能够实现卓越的射频性能与稳定性。其核心是一个集成的次谐波泵浦混频器,这种设计巧妙地利用本振(LO)信号的二次谐波进行频率转换,从而有效避免了在如此高频段内直接生成高质量、高功率本振信号所面临的巨大技术挑战和成本压力,简化了系统设计。
在功能实现上,该芯片专为次谐波(Sub-Harmonic)混频操作而优化。它内置了必要的匹配网络和偏置电路,用户只需提供射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)端口的外部连接与5V单电源供电,即可快速构建一个完整的混频单元。其10dB的噪声系数在同类次谐波混频器中表现突出,有助于维持整个接收链路的信号质量。作为一款升/降频器,它既能用于上变频发射链路,也能用于下变频接收链路,功能灵活。产品以模具(Die)形式提供,为追求极致性能、小型化和高集成度的系统级封装(SiP)或微波多芯片模块(MCM)设计提供了理想的裸片级解决方案。
在接口与关键参数方面,HMC258-SX覆盖了14GHz到21GHz的宽广射频频率范围,适用于Ku波段和部分K波段的应用。其单芯片集成单混频器的设计,简化了外围电路。工作仅需单一的5V直流电压,便于系统电源管理。值得注意的是,其10dB的噪声系数指标,对于需要处理微弱信号的接收机前端而言至关重要,是衡量其灵敏度的核心参数之一。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过正规的ADI代理商获取完整的数据手册、评估板以及应用指导。
基于其优异的高频性能和紧凑的模具封装,该芯片非常适合应用于对尺寸、重量和性能有严苛要求的领域。在点对点微波通信、卫星通信终端以及军用电子战(如雷达、电子对抗)系统中,它可作为核心的频率转换单元。此外,在测试与测量设备(如矢量网络分析仪的信号源模块)以及前沿的5G毫米波原型开发中,HMC258-SX也能为工程师提供一个可靠的高频混频解决方案,加速产品研发进程。
- 型号:HMC258-SX
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:模具
- 类目:射频和无线 > 射频混频器
- 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 射频类型:通用
- 频率:14GHz ~ 21GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:10dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:5V
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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HMC258-SX是Analog Devices Inc生产的一款MMIC次谐波混频器裸片。该器件工作在14GHz至21GHz的射频频率范围,专为在此高频段内实现高效、稳定的频率上变频或下变频而设计。
其核心优势在于采用次谐波混频架构,仅需提供本振频率的一半即可工作,显著降低了对高频本振源的要求和系统复杂度。芯片具有10dB的噪声系数,有利于维持接收链路的灵敏度,并且仅需单5V电源供电。以模具形式交付,为高级微波模块集成提供了高度灵活的基础元件。



















