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HMC213BMS8GETR 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:-
  • 技术参数:IC MIXER 1.5-4.5GHZ 8MSOP
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HMC213BMS8GETR 技术参数详情:

HMC213BMS8GETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器,采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造。该器件内部集成了肖特基二极管环形混频器核心与宽带巴伦变压器,实现了从射频(RF)到本振(LO)以及中频(IF)端口之间的高度隔离。其紧凑的8引脚MSOP封装内部集成了所有必要的匹配和偏置网络,用户无需外部复杂的阻抗匹配电路即可工作,极大地简化了射频前端设计并节省了PCB空间。

该混频器在1.5GHz至4.5GHz的宽频带范围内表现出色,其双平衡架构有效抑制了本振信号的馈通和偶次谐波产物,从而显著提升了动态范围。其典型转换损耗仅为7dB,而噪声系数为9dB,确保了在接收链路中对微弱信号的高灵敏度接收。此外,该器件具备高达+24dBm的输入三阶截点(IP3),使其在处理大信号时能有效抑制互调失真,维持优异的线性度。本振驱动功率要求适中,典型值为+13dBm,便于与常见的压控振荡器(VCO)或频率合成器直接接口。

在接口与参数方面,HMC213BMS8GETR的射频(RF)和本振(LO)端口均设计为宽带50欧姆匹配,支持直流至4.5GHz以上的信号处理。中频(IF)端口覆盖直流至1GHz,为基带或低中频架构提供了灵活性。其工作无需外部直流偏置,简化了电源设计。该器件采用标准的表面贴装MSOP-8封装,符合卷带(TR)包装,适用于高吞吐量的自动化贴装生产线。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取产品、数据手册以及应用设计指导。

凭借其宽频带、高线性度和高集成度的特点,HMC213BMS8GETR非常适合应用于对性能有严格要求的无线通信基础设施,包括蜂窝基站(如LTE、5G)的上下变频单元、点对点微波无线电链路以及军用电子系统中的雷达和电子战(EW)接收机。它也是测试测量设备,如频谱分析仪和信号发生器中,实现频率转换功能的理想选择。

  • 型号:HMC213BMS8GETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:-
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER 1.5-4.5GHZ 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:-
  • 频率:1.5GHz ~ 4.5GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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HMC213BMS8GETR是ADI公司推出的一款高性能MMIC双平衡混频器,工作频率覆盖1.5GHz至4.5GHz的宽范围。该器件采用单片集成设计,内置巴伦和匹配网络,为用户提供了即插即用的解决方案,显著简化了射频电路设计。

其核心性能优势在于优异的线性度与适中的噪声表现。该混频器提供高达+24dBm的输入IP3,确保在大信号环境下出色的抗干扰能力;同时,9dB的噪声系数和7dB的典型转换损耗,使其在接收链路中能有效保持信号的信噪比。这些特性使其成为现代无线通信系统中实现高可靠性频率转换的关键元器件。

HMC974:10 GHz高速窗口比较器
ADL5310:120 dB范围(3 nA - 3 mA)双通道对数转换器
AD5666:四通道、16位DAC,内置最大10 ppm/°C片内基准电压源,采用14引脚TSSOP封装
AD6677:80 MHz带宽中频接收机
HMC1114PM5E:> 10 W (42 dBm), 2.7 GHz 至 3.8 GHz, GaN 功率放大器
LTC3899:60V、低 IQ、三路输出、降压 / 降压 / 升压型同步控制器
LTC4411:采用 ThinSOT 封装的 2.6A 低损耗理想二极管
LTC1556:SIM 电源和电平变换器
ADSP-21587:双核SHARC+ DSP、双通道DDR、529-cspBGA
AD9578:双通道PLL精密频率合成器
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