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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:24-QFN(4x4)
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 24SMD
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HMC144LC4TR 技术参数详情:

作为一款高性能射频混频器,HMC144LC4TR采用了先进的MMIC(单片微波集成电路)技术,其核心架构基于双平衡混频器设计。这种架构通过对称的二极管环或FET结构,能够有效抑制本振(LO)和射频(RF)信号的偶次谐波,从而显著提升端口间的隔离度,并降低寄生响应。芯片内部集成了必要的匹配网络和偏置电路,确保了在宽频带范围内稳定的性能表现,同时简化了外部电路设计。

该器件在6GHz至20GHz的超宽频率范围内工作,展现了卓越的宽带性能。其双平衡设计不仅提供了出色的LO-RF和LO-IF隔离,还带来了良好的线性度。尽管作为无源混频器其转换增益为负值,但其噪声系数典型值仅为11dB,这在同类宽带混频器中是一个颇具竞争力的指标,有助于维持系统整体的信噪比。器件支持升频和降频两种工作模式,为上下变频应用提供了统一的解决方案。其表面贴装型的24引脚TFQFN封装,具有优异的热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度集成。

在接口与参数方面,HMC144LC4TR的RF、LO和IF三个端口均设计为宽带匹配,简化了板级设计。其工作无需外部直流偏置,进一步降低了系统复杂度和功耗。虽然该产品目前已处于停产状态,但其技术规格依然代表了其在所属频段内的经典设计,库存获取或替代方案咨询可通过专业的ADI代理商进行。关键的性能参数,如宽至20GHz的工作频率、11dB的噪声系数以及双平衡结构带来的高隔离度,共同定义了其在苛刻应用环境下的适用性。

基于其宽频带和高性能特性,该芯片主要面向对频率范围和信号纯度有严格要求的专业无线基础设施与测试测量领域。典型应用包括点对点微波通信射频单元、卫星通信上行/下行链路、军用电子战(EW)系统中的频率转换模块,以及高端矢量网络分析仪或频谱分析仪的射频前端。在这些场景中,其稳定的宽带性能和良好的线性度是确保系统整体动态范围和灵敏度的关键因素。

  • 型号:HMC144LC4TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 24SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 频率:6GHz ~ 20GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:11dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-TFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC144LC4TR优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC144LC4TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC双平衡混频器,采用24引脚TFQFN表面贴装封装。该器件设计用于6GHz至20GHz的宽频带射频应用,支持升频与降频转换功能,为核心射频链路提供了灵活的频率变换解决方案。

其双平衡混频器架构确保了出色的本振与射频端口隔离度,并有效抑制了谐波干扰。在提供宽频带操作的同时,器件保持了11dB的典型噪声系数,这一指标有助于在接收链路中维持良好的系统灵敏度。作为一款无源混频器,它无需外部直流供电,简化了系统设计并降低了功耗。

ADA4320-1:5 V、DOCSIS 3.0、低失真、上行有线电视线路驱动器
ADL8142S:GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz 至 31 GHz
LT1077:微功率、单电源、精准运算放大器
LT3761A:具内部 PWM 发生器的 60VIN LED控制器
LT3960:I2C 至 CAN 物理层收发器
AD8251:10 MHz、20 V/µs、G = 1、2、4、8、iCMOS可编程增益仪表放大器
AD7193:内置PGA的4通道、4.8 kHz、超低噪声、24位Σ-Δ ADC
LT3570:1.5A 降压型转换器、1.5A 升压型转换器和 LDO 控制器
ADG5207:高压防闩锁型8通道差分多路复用器
ADL6317:用于 RF DAC 和收发器的发射VGA
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