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  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > 射频混频器,封装:8-SMT
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 8SMD
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HMC128G8 技术参数详情:

作为一款专为现代无线通信系统设计的射频混频器,HMC128G8采用了先进的双平衡混频器架构。这种架构的核心优势在于其出色的端口间隔离度,能够有效抑制本振(LO)信号向射频(RF)和中频(IF)端口的泄漏,同时显著减少偶次谐波产物,从而简化了系统设计中对滤波器的要求,提升了整体信号链路的线性度和动态范围。其内部集成了匹配良好的巴伦和肖特基二极管环,确保了在宽频带范围内的高性能与稳定性。

该器件的工作频率覆盖1.8GHz至5GHz的宽范围,使其能够灵活适配包括WLAN在内的多种主流无线标准。其噪声系数典型值为10dB,在同类产品中表现均衡,为接收链路提供了良好的灵敏度基础。作为一款无源混频器,它无需外部直流偏置,简化了供电设计。其设计支持灵活的升频和降频转换应用,为系统工程师在变频方案选择上提供了便利。用户可以通过专业的ADI代理获取详细的技术支持和样品服务。

在接口与物理特性方面,HMC128G8采用标准的8引脚SOIC表面贴装封装,便于集成到高密度的PCB布局中。其紧凑的封装尺寸(4.40mm宽)和成熟的SMT工艺兼容性,有助于客户实现快速、可靠的批量生产。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过市场验证的性能,使其在现有系统的维护或特定项目设计中仍具参考价值。

得益于其宽频带和双平衡架构特性,该芯片非常适合应用于对频谱纯净度和集成度有要求的场景。典型应用包括2.4GHz和5GHz频段的WLAN接入点与客户端设备、点对点无线链路、微波射频测试设备以及卫星通信系统的上下变频单元。在这些系统中,它能够可靠地完成信号频谱搬移的核心任务,是构建高性能射频前端的经典选择之一。

  • 型号:HMC128G8
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SMT
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 8SMD
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:WLAN
  • 频率:1.8GHz ~ 5GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:10dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SMT
  • HMC128G8优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC128G8是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC双平衡混频器,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心工作频率覆盖1.8GHz至5GHz,专为WLAN等现代无线通信系统的射频变频需求而优化。

该器件采用成熟的双平衡混频器设计,提供出色的端口隔离性能,能有效抑制本振泄漏和杂散信号。其10dB的典型噪声系数确保了接收链路的灵敏度,同时无需直流供电的特性简化了系统设计。它支持灵活的升频与降频转换,是构建紧凑、高性能射频前端的可靠解决方案。

HMC311SC70:InGaP HBT增益模块放大器,采用SMT封装,DC - 8 GHz
ADIS16137:±1000°/Sec精密角速率传感器
ADF4371:带集成 VCO 的微波宽带合成器
LTC1565-31:650kHz 连续时间、线性相位低通滤波器
ADM7151:800 mA、超低噪声/高 PSRR 可调 V out LDO
HMC329A-DIE:22 GHz 至 38 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器
HMC566-DIE:低噪声放大器芯片,29 - 36 GHz
LTC2927:单路电源跟踪控制器
LTC2863:具 ±60V 故障保护功能的 3V 至 5.5V RS485 / RS422 收发器
AD5390:16通道、3 V/5 V串行输入、单电源、14位电压输出
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