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- 制造厂商：AD
- 类别封装：VCO（压控振荡器），封装：32-VFQFN，CSP
- 技术参数：VCO 6.0075GHZ/12.015GHZ 2-13V
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HMC1166LP5ETR 技术参数详情：
还在寻找一颗能同时兼顾高频段、低噪声与高稳定性的信号源核心吗？HMC1166LP5ETR就是您期待的答案。这颗高性能压控振荡器（VCO）能为您在6GHz和12GHz两个关键频段，生成极其纯净、稳定的本振信号，其卓越的-89 dBc/Hz典型相位噪声性能，让您的通信链路或测试系统轻松摆脱噪声干扰，捕获更清晰、更精准的信号。
它通过2V至13V的宽调谐电压，让您能够以高精度和线性度灵活控制输出频率，实现快速、平滑的频率切换。同时，其紧凑的32-VFQFN CSP封装和单5V供电设计，极大地简化了您的电路板布局与电源管理，帮助您高效地构建高性能、高集成度的射频前端模块。选择HMC1166LP5ETR，就是选择了一个可靠、强大且易于驾驭的射频核心，让您的设计脱颖而出。
- 制造商产品型号：HMC1166LP5ETR
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：VCO 6.0075GHZ/12.015GHZ 2-13V
- 系列：VCO（压控振荡器）
- 产品系列：HMC1166
- 零件状态：有源
- 频率范围：5.705 ~ 6.31GHz，11.41 ~ 12.62GHz
- 频率-中心：6.0075GHz，12.015GHz
- 电压-供电：5V
- 调谐电压(VDC)：2V ~ 13V
- 二次谐波，典型值（dBc）：20
- 最大Icc：270mA
- 推移（MHz/V）：5
- 功率(dBm)：4.5±4.5，11±4
- 典型相位噪声(dBc/Hz)：-89
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 封装：32-VFQFN，CSP
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LTC1250：非常低噪声零漂移桥式放大器
HMC7912：GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz
HMC826：集成VCO 的小数N分频PLL，采用SMT封装，990 - 1,105 MHz
AD8067：高增益带宽产品、精密FastFET™运算放大器
LTC4283：具有能量监视器的负电压热插拔控制器
LTC4442：高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
AD9522-5：12 LVDS/24 CMOS Output Clock Generator
ADG1406：9.5 Ω RON、16通道/差分8通道、±15 V/+12 V/±5 V iCMOS多路复用器
LTC3670：采用 3mm x 2mm DFN 封装、具双路 150mA LDO 的单片式 400mA 降压型稳压器
HMCAD1520：高速多模式8/12/14位1000/640/105 MSPS ADC
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