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HMC1165LP5E 图片
  • 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块,封装:32-LFCSP(5x5)
  • 技术参数:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
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HMC1165LP5E 技术参数详情:

HMC1165LP5E是一款基于先进GaAs HBT工艺设计的单片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)。该器件集成了振荡器核心与输出缓冲放大器,采用紧凑的32引脚LFCSP封装,实现了高集成度与优异的射频性能。其核心架构旨在提供稳定的高频信号源,通过内部优化的谐振电路与有源器件设计,确保了在宽调谐电压范围内输出频率的线性度与相位噪声性能。

该VCO的工作频率覆盖11.07 GHz至11.62 GHz范围,专为甚小孔径终端(VSAT)等高频应用优化。其关键特性包括极低的相位噪声,这对于维持通信链路的信号完整性和误码率至关重要。同时,器件集成了分频器输出,能够提供频率约为5.5 GHz的次级输出,为系统设计提供了额外的频率选择与灵活性,简化了本地振荡器(LO)链的架构。其输出缓冲放大器提供了良好的隔离度与驱动能力,有助于减少负载牵引效应,提升系统稳定性。

在接口与参数方面,HMC1165LP5E采用表面贴装形式,便于集成到现代射频PCB设计中。其调谐电压控制端口允许外部电压精确设定输出频率。电源电压要求典型,功耗控制合理,符合高性能射频系统的需求。用户可以通过官方渠道或授权的ADI代理获取完整的数据手册,以获取详细的绝对最大额定值、推荐工作条件、S参数以及相位噪声曲线等关键信息,从而进行精确的电路设计与仿真。

该芯片主要面向需要高性能、稳定本地振荡源的应用场景。其典型应用包括点对点及点对多点无线电通信VSAT卫星通信系统测试与测量设备以及军用电子战和雷达系统。在这些领域中,其高频率、低相位噪声以及集成的分频输出功能,使其成为构建上变频器、下变频器或频率合成器核心模块的理想选择,能够有效提升整个射频前端的性能与可靠性。

  • 型号:HMC1165LP5E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:32-LFCSP(5x5)
  • 类目:射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
  • 描述:MMIC VCO HALF FREQ 32-LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 功能:VCO
  • 频率:11.07GHz ~ 11.62GHz
  • 射频类型:VSAT
  • 辅助属性:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:32-LFCSP(5x5)
  • HMC1165LP5E优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。

HMC1165LP5E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款MMIC压控振荡器(VCO),采用32-LFCSP表面贴装封装。该器件工作于11.07 GHz至11.62 GHz的Ku波段,专为VSAT等高频射频系统设计。

其核心优势在于提供了极低的相位噪声性能,并集成了分频器,可同步输出约5.5 GHz信号,为系统设计提供了高度的灵活性。这款有源器件将振荡器核心与缓冲放大器集成于单芯片,确保了出色的输出功率和隔离度。

作为ADI RF IC和模块系列的一员,HMC1165LP5E以其紧凑的封装和卓越的高频特性,成为点对点通信、卫星终端及测试设备中本地振荡源模块的关键组件。

LTC2324-14:4 通道、14 位带符号位、每通道 2Msps、同时采样 ADC
ADV3226:750 MHz、16 × 16模拟交叉点开关
ADIS16500:精密微型 MEMS IMU
OP467:四通道、精密、高速运算放大器
AD5206:6通道、256位数字电位计
ADUM5242:双通道隔离器,集成采用isoPower技术的DC/DC转换器,提供50 MW隔离功率(0/2通道方向性)
AD5162:256位、双通道、SPI数字电位计
ADG619:CMOS、±5 V/+5 V、4 Ω、单通道单刀双掷开关(先开后合式开关动作)
LTC3882-1
LTC3882-2
:具有数字电源系统管理功能的双路输出多相降压型DC/DC电压模式控制器
ADF4112:单通道、整数N分频、3.0 GHz PLL,内置可编程预分频器和电荷泵
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