
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:-
- 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 18GHZ
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HMC-C058是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的宽带、高性能单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关模块。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构集成了高性能的开关晶体管与优化的匹配网络,并封装于一个带有SMA连接器的坚固模块中,确保了从直流到18GHz的极宽频率范围内信号路径的完整性。这种设计不仅实现了优异的射频性能,还提供了卓越的可靠性和环境适应性,使其能够稳定工作在-55°C至85°C的宽温范围内。
该模块的核心功能在于其卓越的射频开关性能。它在整个0Hz至18GHz的工作频段内,能够提供高达55dB的端口隔离度,这对于抑制通道间串扰、提高系统动态范围至关重要。同时,其插入损耗典型值仅为3dB(在18GHz测试频率下),这意味着信号通过开关时的衰减被控制在极低水平,有助于维持系统链路的增益和信噪比。其线性度指标同样出色,1dB压缩点(P1dB)达到27dBm,三阶交调截点(IIP3)高达46dBm,使其能够处理高功率信号而不会引入明显的失真,非常适合应用于对信号保真度要求苛刻的场合。
在接口与控制方面,HMC-C058采用标准的50欧姆阻抗设计,便于与大多数射频系统无缝集成。其供电电压为单+5V,控制逻辑兼容TTL/CMOS电平,简化了外围驱动电路的设计。模块化的封装形式直接集成了SMA连接器,极大地方便了系统集成与测试,减少了用户在高频板级设计上的挑战。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品的供货、技术资料及本地化服务支持。
凭借其从直流覆盖至Ku波段的超宽带性能、高隔离、低插损以及优异的功率处理能力,HMC-C058在众多高端射频系统中找到了用武之地。它非常适用于测试与测量设备(如矢量网络分析仪、信号源)中的信号路由、多通道切换;在军用电子系统如电子对抗(ECM)和雷达中用于波束形成或信道选择;同时也在宽带通信基础设施、卫星通信以及研发实验室的通用射频平台中,作为关键的路由与切换元件,为系统设计的灵活性与性能提供了坚实保障。
- 型号:HMC-C058
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:-
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 18GHZ
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 射频类型:通用
- 拓扑:吸收
- 电路:SPDT
- 频率范围:0Hz ~ 18GHz
- 隔离:55dB
- 插损:3dB
- 测试频率:18GHz
- P1dB:27dBm
- IIP3:46dBm
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:5V
- 工作温度:-55°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:模块,SMA 连接器
- 供应商器件封装:-
- HMC-C058优势代理货源,国内领先的AD芯片采购服务平台。
HMC-C058是ADI推出的一款高性能、宽带SPDT吸收式射频开关模块。该器件基于GaAs pHEMT工艺,采用模块化封装并集成SMA连接器,工作频率覆盖直流至18GHz,为超宽带射频信号路由提供了高可靠的解决方案。
其核心性能参数表现突出:在18GHz频率下,能提供高达55dB的端口隔离度和仅3dB的插入损耗,确保了优异的信号通道分离度和传输效率。同时,其具备27dBm的1dB压缩点和46dBm的输入三阶交调截点,展现了出色的线性度和高功率处理能力,适用于对信号完整性要求严格的应用环境。
该模块采用+5V单电源供电,控制逻辑兼容标准电平,50欧姆阻抗设计便于系统集成。其宽工作温度范围(-55°C至85°C)进一步保证了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。



















