
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
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ADUM4221-2ARIZ是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、单通道隔离式栅极驱动器,采用先进的iCoupler磁隔离技术。该器件专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计,其核心在于通过片上变压器实现信号与电源的隔离传输,从而在输入侧的逻辑控制电路与输出侧的高压功率开关之间构建起一道坚固的电气屏障。这种磁耦合架构避免了光耦器件常见的老化、温度敏感性问题,提供了更稳定、可靠的长期性能。
该驱动器具备卓越的隔离与抗干扰能力,其隔离电压高达5700 Vrms,能够有效承受工业与能源应用中常见的高压冲击。尤为突出的是其高达150 kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI),这确保了在功率桥臂开关产生剧烈电压跳变时,驱动信号不会受到干扰,从而防止功率管误触发,保障系统安全。其输出级可提供高达4A的峰值拉/灌电流,能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电,显著减少开关损耗。
在动态性能方面,ADUM4221-2ARIZ表现出色。其传播延迟典型值较低,且最大脉宽失真被控制在16ns以内,这为需要精确死区时间控制的高频开关电源和电机驱动应用提供了关键保障。输出侧的供电范围宽达4.5V至35V,使其能够灵活适配不同电压等级的功率器件。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,满足表面贴装要求,并支持-40°C至125°C的扩展工业温度范围,确保在严苛环境下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品及相关技术支持。
凭借其高隔离强度、优异的抗噪能力和快速的开关特性,ADUM4221-2ARIZ非常适合应用于工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、伺服驱动器以及隔离式DC-DC变换器等场景。在这些系统中,它能够可靠地驱动半桥或高端/低端配置中的功率开关,是实现高功率密度、高可靠性电源与驱动解决方案的核心组件之一。
- 型号:ADUM4221-2ARIZ
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5700Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):33ns,44ns
- 脉宽失真(最大):16ns
- 上升/下降时间(典型值):25ns,30ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CQC,CSA,UL,VDE
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ADUM4221-2ARIZ是ADI公司基于iCoupler磁隔离技术的单通道隔离栅极驱动器。该器件提供5700 Vrms的高隔离电压和150 kV/s的卓越共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的功率开关噪声环境下信号的完整性与系统安全。
其输出级支持4A峰值电流,结合低至33ns/44ns的传播延迟和16ns的最大脉宽失真,能够实现功率MOSFET或IGBT的高效、精确驱动。宽输出供电范围(4.5V至35V)和扩展工业温度范围(-40°C至125°C)使其成为要求严苛的工业与能源应用的理想选择。



















