
- 制造厂商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC
- 技术参数:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
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ADUM4221-2ARIZ-RL是一款基于iCoupler磁隔离技术的单通道隔离式栅极驱动器,专为高效、可靠地驱动功率MOSFET和IGBT而设计。其核心架构采用亚德诺半导体(ADI)成熟的芯片级变压器技术,在单芯片内集成了信号隔离、电平转换和功率驱动功能,实现了输入逻辑信号与输出高侧/低侧驱动信号之间的电气隔离。这种磁耦合技术不仅确保了信号传输的完整性,还提供了极高的抗干扰能力和长期可靠性。
该器件具备多项关键性能优势,其5700Vrms的增强型隔离电压为系统提供了坚固的安全屏障,尤其适用于高电压环境。高达150kV/s的共模瞬变抗扰度(CMTI)确保了在功率开关动作产生剧烈电压瞬变时,驱动信号不受干扰,避免了功率器件的误触发,这对于提升系统稳定性和可靠性至关重要。其输出级能够提供高达4A的峰值拉/灌电流,可以快速对功率器件的栅极电容进行充放电,从而有效降低开关损耗,提升整体效率。
在接口与电气参数方面,ADUM4221-2ARIZ-RL支持宽范围的输出侧供电电压(4.5V至35V),使其能够灵活适配不同电压等级的功率器件。其动态性能表现优异,传播延迟典型值低至33ns(低到高)和44ns(高到低),脉宽失真最大值为16ns,上升和下降时间典型值均为25ns。这些参数共同保证了精确的时序控制和最小的信号失真,对于实现高频开关应用和精确的死区时间控制极为有利。器件采用16引脚SOIC宽体封装,工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,具备出色的环境适应性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI一级代理商进行采购。
凭借其高性能和可靠性,ADUM4221-2ARIZ-RL广泛应用于工业电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电桩以及各类开关电源等场景。在这些应用中,它作为连接低压控制电路与高压功率电路的桥梁,不仅实现了安全隔离,更通过其快速、强大的驱动能力,直接提升了功率转换系统的效率、功率密度和鲁棒性,是现代电力电子系统设计中不可或缺的关键组件。
- 型号:ADUM4221-2ARIZ-RL
- 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
- 封装:16-SOIC
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR 16SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压 - 隔离:5700Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):150kV/s
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):33ns,44ns
- 脉宽失真(最大):16ns
- 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns
- 电流 - 输出高、低:-
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
- 电压 -输出供电:4.5V ~ 35V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 认证机构:CQC,CSA,UL,VDE
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ADUM4221-2ARIZ-RL是ADI公司推出的一款单通道、隔离式栅极驱动器,采用磁耦合(iCoupler)技术实现信号与电源的电气隔离。该器件设计用于高效驱动功率MOSFET和IGBT,其核心卖点在于高隔离强度与卓越的抗干扰能力。
它提供高达5700Vrms的隔离电压和150kV/s的共模瞬变抗扰度,确保在恶劣的功率开关环境下信号的稳定与安全。同时,器件具备4A的峰值输出电流和快速的开关特性(传播延迟最大44ns,上升/下降时间典型25ns),能有效降低开关损耗,提升系统效率。其输出侧支持4.5V至35V的宽供电范围,并可在-40°C至125°C的工业温度范围内稳定工作,适用于要求严苛的工业与能源应用。



















